Основные характеристики импортных транзисторов M54661P — MJE13005

M54661P 1.5 А 4xTRANS.ARRAY+DIODE
MAT02FH 40 В 20 мА 450 МГц 0.5 Вт 2xSI-N
MGF1302 6 В 0.1 А 4 ГГц 0.3 Вт N-FET
MJ10001 500 В 20 А B> 175 Вт N-DARL+D
MJ10005 500/400 В 20 А 175 Вт N-DARL+D
MJ1001 80 В 8 А 90 Вт N-DARL
MJ10012 600 В 10 А 175 Вт N-DARL+D
MJ10016 500 В 50 А 1 us 250 Вт N-DARL+D
MJ11015 120 В 30 А 200 Вт P-DARL
MJ11016 120 В 30 А 200 Вт N-DARL
MJ11032 120 В 50 А 300 Вт N-DARL
MJ11033 120 В 50 А 300 Вт P-DARL
MJ15003 140 В 20 А 3 МГц 250 Вт SI-N
MJ15004 140 В 20 А 3 МГц 250 Вт SI-P
MJ15015 120 В 15 А 0.8 МГц 180 Вт SI-N
MJ15016 120 В 15 А 0.8 МГц 180 Вт SI-P
MJ15022 350/200 В 16 А 250 Вт SI-N
MJ15023 350 В 16 А 4 МГц 250 Вт SI-P
MJ15024 250 В 16 А 250 Вт SI-N
MJ15025 400 В 16 А 4 МГц 250 Вт SI-P
MJ16018 1500 В 10 А 175 Вт SI-N
MJ2501 80 В 10 А 150 Вт P-DARL
MJ2955 100 В 15 А 4 МГц 150 Вт SI-P
MJ3001 80 В 10 А 150 Вт N-DARL
MJ4032 100 В 10 А 150 Вт P-DARL
MJ4035 100 В 16 А 150 Вт N-DARL
MJ413 400 В 10 А > 2.5 МГц 125 Вт SI-N
MJ4502 100 В 30 А 200 Вт SI-P
MJ802 90 В 30 А 200 Вт SI-N
MJE13004 300 В 4 А TO220 75 Вт SI-N
MJE13005 300 В 8 А 75 Вт SI-N
MJE13005 300 В 8 А 75 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • D — с диодом
  • DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика