M54661P | 1.5 А | 4xTRANS.ARRAY+DIODE | |||
MAT02FH | 40 В | 20 мА | 450 МГц | 0.5 Вт | 2xSI-N |
MGF1302 | 6 В | 0.1 А | 4 ГГц | 0.3 Вт | N-FET |
MJ10001 | 500 В | 20 А | B> | 175 Вт | N-DARL+D |
MJ10005 | 500/400 В | 20 А | 175 Вт | N-DARL+D | |
MJ1001 | 80 В | 8 А | 90 Вт | N-DARL | |
MJ10012 | 600 В | 10 А | 175 Вт | N-DARL+D | |
MJ10016 | 500 В | 50 А | 1 us | 250 Вт | N-DARL+D |
MJ11015 | 120 В | 30 А | 200 Вт | P-DARL | |
MJ11016 | 120 В | 30 А | 200 Вт | N-DARL | |
MJ11032 | 120 В | 50 А | 300 Вт | N-DARL | |
MJ11033 | 120 В | 50 А | 300 Вт | P-DARL | |
MJ15003 | 140 В | 20 А | 3 МГц | 250 Вт | SI-N |
MJ15004 | 140 В | 20 А | 3 МГц | 250 Вт | SI-P |
MJ15015 | 120 В | 15 А | 0.8 МГц | 180 Вт | SI-N |
MJ15016 | 120 В | 15 А | 0.8 МГц | 180 Вт | SI-P |
MJ15022 | 350/200 В | 16 А | 250 Вт | SI-N | |
MJ15023 | 350 В | 16 А | 4 МГц | 250 Вт | SI-P |
MJ15024 | 250 В | 16 А | 250 Вт | SI-N | |
MJ15025 | 400 В | 16 А | 4 МГц | 250 Вт | SI-P |
MJ16018 | 1500 В | 10 А | 175 Вт | SI-N | |
MJ2501 | 80 В | 10 А | 150 Вт | P-DARL | |
MJ2955 | 100 В | 15 А | 4 МГц | 150 Вт | SI-P |
MJ3001 | 80 В | 10 А | 150 Вт | N-DARL | |
MJ4032 | 100 В | 10 А | 150 Вт | P-DARL | |
MJ4035 | 100 В | 16 А | 150 Вт | N-DARL | |
MJ413 | 400 В | 10 А | > 2.5 МГц | 125 Вт | SI-N |
MJ4502 | 100 В | 30 А | 200 Вт | SI-P | |
MJ802 | 90 В | 30 А | 200 Вт | SI-N | |
MJE13004 | 300 В | 4 А | TO220 | 75 Вт | SI-N |
MJE13005 | 300 В | 8 А | 75 Вт | SI-N | |
MJE13005 | 300 В | 8 А | 75 Вт | SI-N |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый n-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRRАY — транзисторная матрица
- D — с диодом
- DARL — составной
- N-FET — полевой с N-каналом
- P-FET — полевой с P-каналом