Основные характеристики импортных транзисторов MJE13007 — MJW16206

MJE13007 400 В 8 А 80 Вт SI-N
MJE13009 400 В 12 А 100 Вт SI-N
MJE15030 150 В 8 А 30 МГц 50 Вт SI-N
MJE15031 150 В 8 А 30 МГц 50 Вт SI-P
MJE18004 450 В 5 А 13 МГц 100 Вт SI-N
MJE18006 450 В 6 А 14 МГц 100 Вт SI-N
MJE18008 450 В 8 А 0.3 us 125 Вт SI-N
MJE210 40 В 5 А >65 МГц 15 Вт SI-P
MJE243 100 В 4 А >40 МГц 15 Вт SI-N
MJE253 100 В 4 А >40 МГц 15 Вт SI-P
MJE270 100 В 2 А >16 МГц 15 Вт N-DARL
MJE271 100 В 2 А B>1K5 15 Вт P-DARL
MJE2955T 70 В 10 А АFPOWER 90 Вт SI-P
MJE3055T 70 В 10 А АFPOW 90 Вт SI-N
MJE340 300 В 0.5 А ВIDPOW 20 Вт SI-N
MJE350 300 В 0.5 А ВIDPOW 20 Вт SI-P
MJE5850 350/300 В 8 А 80 Вт SI-P
MJE800 60 В 4 А B>750 40 Вт N-DARL+D
MJE8502 700 В 5 А B>750 80 Вт SI-N
MJF18004 450 В 5 А 13 МГц 35 Вт SI-N
MJF18008 450 В 8 А 0.3 us 45 Вт SI-N
MJF18204 600 В 5 А 13 МГц 35 Вт SI-N
MJW16018 800 В 10 А 3 МГц 150 Вт SI-P
MJW16206 1200 В 12 А 3 МГц 150 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • D — с диодом
  • DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика