MJE13007 | 400 В | 8 А | 80 Вт | SI-N | |
MJE13009 | 400 В | 12 А | 100 Вт | SI-N | |
MJE15030 | 150 В | 8 А | 30 МГц | 50 Вт | SI-N |
MJE15031 | 150 В | 8 А | 30 МГц | 50 Вт | SI-P |
MJE18004 | 450 В | 5 А | 13 МГц | 100 Вт | SI-N |
MJE18006 | 450 В | 6 А | 14 МГц | 100 Вт | SI-N |
MJE18008 | 450 В | 8 А | 0.3 us | 125 Вт | SI-N |
MJE210 | 40 В | 5 А | >65 МГц | 15 Вт | SI-P |
MJE243 | 100 В | 4 А | >40 МГц | 15 Вт | SI-N |
MJE253 | 100 В | 4 А | >40 МГц | 15 Вт | SI-P |
MJE270 | 100 В | 2 А | >16 МГц | 15 Вт | N-DARL |
MJE271 | 100 В | 2 А | B>1K5 | 15 Вт | P-DARL |
MJE2955T | 70 В | 10 А | АFPOWER | 90 Вт | SI-P |
MJE3055T | 70 В | 10 А | АFPOW | 90 Вт | SI-N |
MJE340 | 300 В | 0.5 А | ВIDPOW | 20 Вт | SI-N |
MJE350 | 300 В | 0.5 А | ВIDPOW | 20 Вт | SI-P |
MJE5850 | 350/300 В | 8 А | 80 Вт | SI-P | |
MJE800 | 60 В | 4 А | B>750 | 40 Вт | N-DARL+D |
MJE8502 | 700 В | 5 А | B>750 | 80 Вт | SI-N |
MJF18004 | 450 В | 5 А | 13 МГц | 35 Вт | SI-N |
MJF18008 | 450 В | 8 А | 0.3 us | 45 Вт | SI-N |
MJF18204 | 600 В | 5 А | 13 МГц | 35 Вт | SI-N |
MJW16018 | 800 В | 10 А | 3 МГц | 150 Вт | SI-P |
MJW16206 | 1200 В | 12 А | 3 МГц | 150 Вт | SI-N |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый n-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRRАY — транзисторная матрица
- D — с диодом
- DARL — составной
- N-FET — полевой с N-каналом
- P-FET — полевой с P-каналом