Основные характеристики импортных транзисторов ITT, J, KS, KT, LM

 

ITT9013G 30 В 0.5 A 100 МГц SI-N
J111 40 В 50 мA 30E 0.4 Вт N-FET
J300 25 В 6 мA 0.35 Вт N-FET
J309 25 В 30 мA VHF Up<4 В N-FET
J310 25 В 60 мA VH Up<6.5 В N-FET
KSA708 80 В 0.7 A 50 МГц 0.8 Вт SI-N
KSA733 60 В 0.15 A 50 МГц 0.25 Вт SI-P
KSC2316 120 В 0.8 A 120 МГц 0.9 Вт SI-N
KSC2328A 30 В 2 A 120 МГц 1 Вт SI-N
KSC2330 300 В 0.1 A 50 МГц SI-N
KSC2331 80 В 0.7 A 30 МГц 1 Вт SI-N
KTA1273 30 В 2 A 120 МГц 1 Вт SI-P
KTC3198 60 В 0.15 A 130 МГц 0.4 Вт SI-N
KTC9012 30 В 0.5 A 0.625 Вт SI-P
KTC9013 30 В 0.5 A 0.625 Вт SI-N
KTC9014 50 В 0.15 A 0.625 Вт SI-N
KTC9015 50 В 0.15 A 0.625 Вт SI-P
KTC9018 30 В 20 мA 500 МГц 0.2 Вт SI-N
KTD1351 60 В 3 A 3 МГц 30 Вт SI-N
LM394CH SUPERMATCH TRANS.PR.
LM394H SUPERMATCH TRANS.PR.
LM395T BLOWOUT RESIST. TRANSISTO
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • D — с диодом
  • DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика