Основные характеристики импортных транзисторов BF324 — BF507

23.02.2017
BF324 30 В 25 мA 450 МГц .25 Вт SI-P
BF339 ВHF- В/ м/O 500 МГц SI-P
BF343 35 В 35 мA >80 МГц .25 Вт SI-P
BF357 30 В 0.05 A 1.6 ГГц SI-N
BF362 UHF- В 800 МГц SI-N
BF370 40 В 0.1 A >500 МГц 0.5 Вт SI-N
BF377 15 В 25 мA 1.3 ГГц SI-N
BF393 300 В 0.5 A 0.65 Вт SI-N
BF410B 20 В 0.7 мA N-FET
BF410C 20 В 12 мA A мPLIF N-FET
BF411 110 В 0.05 A 0.3 Вт SI-N
BF417 300 В 0.2 A 50 МГц 6 Вт SI-N
BF418 300 В 0.2 A 50 МГц 6 Вт SI-P
BF419 300 В 0.1 A 6 Вт SI-N
BF420 300 В 0.1 A 0.83 Вт SI-N
BF421 300 В 0.1 A 0.83 Вт SI-P
BF424 30 В 25 мA 300 МГц SI-P
BF435 160 В 0.2 A 80 МГц 0.625 Вт SI-P
BF440 40 В 25 мA 250 МГц SI-P
BF441B 40 В 25 мA 250 МГц SI-P
BF450 40 В 25 мA 375 МГц .25 Вт SI-P
BF455 400 МГц A м/F м- В/ м/O
BF459 300 В 0.1 A 90 МГц 10 Вт SI-N
BF462 350 В 0.5 A 45 МГц 10 Вт SI-N
BF471 300 В 0.1 A 60 МГц 2 Вт SI-N
BF472 300 В 30 мA 60 МГц 2 Вт SI-P
BF479 30 В 50 мA 1.4 ГГц .16 Вт SI-P
BF487 400 В 0.05 A 0.83 Вт SI-N
BF493 300 В 0.5 A 0.625 Вт SI-P
BF494 20 В 30 мA 260 МГц SI-N
BF495C 30 В 30 мA 200 МГц 0.3 Вт SI-N
BF496 30 В 20 мA 550 МГц 0.3 Вт SI-N
BF506 40 В 30 мA 550 МГц 0.3 Вт SI-P
BF507 30 В 20 мA >750 МГц 0.5 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.