Основные характеристики импортных транзисторов BF115 — BF316

10.02.2017
BF115 50 В 30 мA   0.15 Вт SI-N
BF120 220 В 50 мA   0.3 Вт SI-N
BF125 A м/F м В/ м/O/ZF 450 МГц   SI-N
BF152 30 В ВHF- 800 МГц 0.2 Вт SI-N
BF155 40 В 20 мA 600 МГц   SI-N
BF161 50 В 20 мA 550 МГц   SI-N
BF163 40 В   600 МГц 20 мВт SI-N
BF164 40 В   600 МГц 0.2 Вт SI-N
BF166 40 В 20 мA 500 МГц 0.175 Вт SI-N
BF173 40 В 25 мA 600 МГц 0.23 Вт SI-N
BF180 30 В 20 мA 675 МГц .15 Вт SI-N
BF182 25 В 20 мA 650 МГц   SI-N
BF184 20 В 30 мA 260 МГц   SI-N
BF186 190 В 0.06A 120 МГц 0.8 Вт SI-N
BF189 30 В 25 мA 270 МГц   SI-N
BF195 30 В 30 мA 200 МГц .22 Вт SI-N
BF199 40 В 25 мA 550 МГц 0.3 Вт SI-N
BF200 30 В 20 мA 500 МГц 0.15 Вт SI-N
BF224 45 В 50 мA 450 МГц 0.25 Вт SI-N
BF240 40 В 25 мA 400 МГц 0.25 Вт SI-N
BF244A 30 В 25 мA   0.3 Вт N-FET
BF244C 30 В 25 мA   0.3 Вт N-FET
BF245A 30 В 25 мA   0.3 Вт N-FET
BF245B 30 В 25 мA   0.3 Вт N-FET
BF245C 30 В 0.1 A 170 мC 0.3 Вт N-FET
BF246C 25 В 25 мA   0.25 Вт N-FET
BF247B 25 В 25 мA   0.25 Вт N-FET
BF247C 25 В 25 мA   0.25 Вт N-FET
BF253 30 В 30 мA 150 МГц   SI-N
BF254 30 В 30 мA 260 МГц .22 Вт SI-N
BF255 20 В 30 мA 200 МГц .22 Вт SI-N
BF256A 30 В 7 мA Вgs<7.5   N-FET
BF256B 30 В 13 мA     N-FET
BF256C 30 В 10 мA   0.25 Вт N-FET
BF259 300 В 0.1 A 90 МГц 0.8 Вт SI-N
BF259S 300 В 0.1 A 90 МГц 0.8 Вт SI-N
BF271 40 В 30 мA 1 ГГц 240 мВт SI-N
BF299 300 В 0.1 A   0.625 Вт SI-N
BF316 UHF- м/O   550..660 МГц   SI-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.