Основные характеристики импортных транзисторов BF509 — BF979

08.03.2017
BF509 40 В 30 мA 750 МГц 0.3 Вт SI-P
BF516 35 В 20 мA 850 МГц   SI-P
BF569 40 В 30 мA 850 МГц 280 мВт SI-P
BF585 350 В 0.05 A 70 МГц 5 Вт SI-N
BF587 400 В 0.05 A >70 МГц 5 Вт SI-N
BF622 250 В 0.1 A   2 Вт SI-N
BF679 40 В 30 мA 880 МГц .16 Вт SI-P
BF680 40 В 30 мA 750 МГц .16 Вт SI-P
BF689 15 В 25 мA 1 ГГц 0.2 Вт SI-N
BF689K 25 В 25 мA 0.2 ГГц 0.36 Вт SI-N
BF758 300 В 0.5 A   2 Вт SI-N
BF759 350 В 0.5 A ВID-PO 10 Вт SI-N
BF763 15 В 25 мA 1.8 ГГц 0.36 Вт SI-N
BF770A 15 В 0.05 A 5.5 ГГц   SI-N
BF791 300 В 0.1 A   5 Вт SI-P
BF799 30 В 35 мA 800 МГц 280 мВт SI-N
BF819 250 В 0.1 A   1.2 Вт SI-N
BF820 300 В 25 мA >60 МГц   SI-N
BF821 300 В 25 мA   0.31 Вт SI-P
BF840 40 В 25 мA 380 МГц 0.28 Вт SI-N
BF844 450 В 0.3 A >50 МГц 625 мВт SI-N
BF859 300 В 0.1 A   2.5 Вт SI-N
BF871 300 В 0.1 A   1.8 Вт SI-N
BF872 300 В 0.1 A 60 МГц 1.6 Вт SI-P
BF881 400 В 0.03 A >60 МГц   SI-N
BF883S 275 В 0.05 A >60 МГц 7 Вт SI-N
BF891 400 В 30 мA <60 МГц   SI-P
BF910 20 В 50 мA   0.33 Вт N-FET-DG
BF926 20 В 25 мA 350 МГц 17 dB SI-P
BF939 30 В 220 мA 750 МГц . SI-P
BF959 20 В 0.1 A 1.1 ГГц   SI-N
BF960 20 В 25 мA .8 ГГц   N-FET-DG
BF961 20 В 30 мA .2 ГГц   N-FET-DG
BF964 20 В 30 мA .2 ГГц   N-FET-DG
BF966 20 В 30 мA .8 ГГц   N-FET-DG
BF966S 20 В 30 мA .8 ГГц .2 Вт N-FET-DG
BF967 30 В 20 мA 900 МГц .16 Вт SI-P
BF968 UHF TRANS. 1100 МГц   SI-P
BF970 35 В 30 мA 1 ГГц 0.3 Вт SI-P
BF979 20 В 50 мA 1.75 ГГц 0.3 Вт SI-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.