Основные характеристики импортных транзисторов MJW, MPF, MPS, MRF,ON

 

MJW16212 650 В 10 А 150 Вт SI-N
MPF102 25 В 2 мА Up<8 В N-FET
MPS3640 12 В 80 мА 500 МГц 635m Вт SI-P
MPSA06 80 В 0.5 А DRIV 0.625 Вт SI-N
MPSA10 40 В 0.1 А 50 МГц 0.21 Вт SI-N
MPSA12 20 В 0.5 А 0.625 Вт N-DARL
MPSA14 30 В 0.5 А 0.625 Вт SI-N
MPSA18 45 В 0.2 А 100 МГц 625m Вт SI-N
MPSA42 300 В 0.5 А 0.625 Вт SI-N
MPSA44 500 В 0.3 А 20 МГц 625m Вт SI-N
MPSA56 80 В 0.5 А DRIV 0.625 Вт SI-P
MPSA70 40 В 0.1 А >125 МГц 0.35 Вт SI-P
MPSA92 300 В 0.5 А 0.625 Вт SI-P
MPSH10 25 В 40 мА 650 МГц 0.35 Вт SI-N
MRF237 36 В 0.6 А 174 МГц 4 Вт SI-N
MRF455 36 В 15 А 30 МГц 60 Вт SI-N
MRF475 20 В 4 А 50 МГц 4 Вт SI-N
ON4359 120 В 4 А >10 МГц 40 Вт N-DARL+D
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • D — с диодом
  • DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика