Основные характеристики импортных транзисторов TIP3055 — ZTX753M1TA

 

TIP3055 100 В 15 А NF/S-L 90 Вт SI-N
TIP33C 115 В 10 А 80 Вт SI-N
TIP34C 100 В 10 А 3 МГц 80 Вт SI-P
TIP35C 100 В 25 А 3 МГц 125 Вт SI-N
TIP36C 100 В 25 А 3 МГц 125 Вт SI-P
TIP41C 100 В 6 А 3 МГц 65 Вт SI-N
TIP42C 140 В 6 А 65 Вт SI-P
TIP50 400 В 1 А 2us 40 Вт SI-N
TIP54 500 В 3 А >2.5 МГц 100 Вт SI-N
TIPL760 850/400 В 4 А 75 Вт SI-N
TIPL760A 100 В 4 А 12 МГц 80 Вт SI-N
TIPL761A 1000 В 4 А 100 Вт SI-N
TIPL762A 800 В 6 А POVER 120 Вт SI-N
TIPL763A 1000 В 8 А 8 МГц 120 Вт SI-N
TIPL790A 150 В 10 А 10 МГц 70 Вт SI-N
TIPL791A 450 В 4 А 75 Вт SI-N
U440 25 В 30 мА 0.35 Вт 2xN-FET
UPA63H 60 В Idss>20 мА 0.5 2xN-FET
UPA81C 8×40 В 0.4 А B>1K N-ARRAY
VN10KM 60 В 0.31 А 5E Up<2.5 N-FET
VN66AFD 60 В 2 А 3E Up<2. 12 Вт N-FET
VN88AFD 80 В 1.3 А Up<2.5 20 Вт N-FET
ZTX213 45 В 0.2 А 350 МГц 0.3 Вт SI-P
ZTX342 120 В 0.1 А 0.3 Вт SI-N
ZTX450 60 В 1 А 150 МГц 1 Вт SI-N
ZTX550 60 В 1 А >150 МГц 1 Вт SI-P
ZTX653 120 В 2 А >140 МГц 1 Вт SI-N
ZTX753 120 В 2 А TO92 1 Вт SI-P
ZTX753M1TA 120 В 2 А 1 Вт SI-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • D — с диодом
  • DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика