Основные характеристики импортных транзисторов BDX16A — BDY90

26.01.2017

 

BDX16A 140 В 3 А 800 кГц 25 Вт SI-P
BDX20 160 В 10 А >4 МГц 117 Вт SI-P
BDX32 1700 В 4 А 40 Вт SI-N
BDX33C 100 В 10 А 70 Вт N-D АRL
BDX34C 100 В 10 А 70 Вт P-D АRL
BDX37 80 В 5 А 350ns 15 Вт SI-N
BDX44 90 В 1 А 1.5us 5 Вт N-D АRL+D
BDX47 90 В 1 А 5 Вт P-D АRL
BDX50 160 В 16 А >800 кГц 150 Вт SI-N
BDX53C 100 В 6 А B=500 60 Вт N-D АRL
BDX53F 160 В 6 А B=500 60 Вт N-D АRL
BDX54C 100 В 6 А B=500 60 Вт P-D АRL
BDX54F 160 В 6 А B=500 60 Вт P-D АRL
BDX62C 120 В 8 А 90 Вт P-D АRL
BDX63C 140 В 8 А 90 Вт N-D АRL
BDX64C 120 В 12 А B>1K 117 Вт P-D АRL
BDX65C 120 В 12 А 117 Вт N-D АRL
BDX66C 120 В 16 А 150 Вт P-D АRL
BDX66C 120 В 16 А 150 Вт P-D АRL
BDX67C 120 В 16 А 150 Вт N-D АRL
BDX71 70 В 10 А >0.8 МГц 75 Вт SI-N
BDX75 45 В 16 А >0.8 МГц 75 Вт SI-N
BDX77 100 В 8 А >7 МГц 60 Вт SI-N
BDX87C 100 В 12 А 120 Вт N-D АRL
BDX88C 100 В 12 А 120 Вт P-D АRL
BDX94 80 В 8 А >4 МГц 90 Вт SI-P
BDX95 100 В 8 А >4 МГц 90 Вт SI-N
BDX96 100 В 8 А >4 МГц 90 Вт SI-P
BDY20 100 В 15 А 1 МГц 117 Вт SI-N
BDY29 100 В 30 А PO ВтER 220 Вт SI-N
BDY56 180 В 15 А >10 МГц 115 Вт SI-N
BDY58 160 В 25 А 175 Вт SI-N
BDY73 100 В 15 А >8 кГц 115 Вт SI-N
BDY83B 50 В 4 А 3 МГц 36 Вт SI-P
BDY90 120 В 10 А 0.35us 60 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.