Основные характеристики импортных транзисторов BD743C — BDX11

15.01.2017
BD743C 110 В 15 А >5 МГц 90 Вт SI-N
BD744C 110 В 15 А 5 МГц 90 Вт SI-P
BD750 100 В 20 А 200 Вт SI-P
BD751 100 В 20 А 200 Вт SI-N
BD791 100 В 4 А 15 Вт SI-N
BD792 100 В 4 А 15 Вт SI-P
BD801 100 В 8 А >3 МГц 65 Вт SI-N
BD829 100 В 1 А 8 Вт SI-N
BD830 100 В 1 А 75 МГц 8 Вт SI-P
BD839 45 В 1.5 А 125 МГц 10 Вт SI-N
BD843 100 В 1.5 А >150 МГц 10 Вт SI-N
BD877 80 В 1 А 200 МГц 9 Вт N-D АRL
BD879 100 В 1 А 200 МГц 9 Вт N-D АRL
BD880 100 В 1 А 200 МГц P-D АRL
BD901 100 В 8 А 70 Вт N-D АRL+D
BD902 100 В 8 А 70 Вт P-D АRL
BD911 100 В 15 А 90 Вт SI-N
BD912 100 В 15 А 90 Вт SI-P
BD939F 120 В 3 А 3 МГц 19 Вт SI-N
BD941 140 В 3 А 3 МГц 30 Вт SI-N
BD942 140 В 3 А 3 МГц 30 Вт SI-P
BD943 22 В 5 А 3 МГц 40 Вт SI-N
BD948 45 В 5 А 3 МГц 40 Вт SI-P
BD951 80 В 5 А >3 МГц 40 Вт SI-N
BD956 120 В 5 А 3 МГц 40 Вт SI-P
BDT61 60 В 4 А >10 МГц 50 Вт N-D АRL+D
BDT61C 120 В 4 А >10 МГц 50 Вт N-D АRL+D
BDT61F 60 В 4 А N-D АRL+D
BDT62C 120 В 10 А B>1K 90 Вт P-D АRL
BDT63C 120 В 10 А B>1K 90 Вт N-D АRL
BDT64C 120 В 12 А B>1K 125 Вт P-D АRL
BDT65C 120 В 12 А B>1K 125 Вт N-D АRL
BDT85A 100 В 15 А 20 МГц 125 Вт SI-N
BDT86A 100 В 15 А 20 МГц 125 Вт SI-P
BDT87 120 В 15 А 10 МГц 125 Вт SI-N
BDT88 120 В 12 А 117 Вт SI-P
BDT95A 100 В 10 А 4 МГц 90 Вт SI-N
BDT96A 100 В 10 А 4 МГц 90 Вт SI-P
BDV64C 120 В 20 А B> 125 Вт P-D АRL+D
BDV65B 100 В 20 А B> 125 Вт N-D АRL+D
BDV65C 120 В 20 А 125 Вт N-D АRL+D
BDV66C 120 В 16 А 7 МГц 200 Вт P-D АRL+D
BDV66D 160 В 16 А 200 Вт P-D АRL+D
BDW22C 100 В 10 А >3 МГц 90 Вт SI-P
BDW23C 100 В 6 А 50 Вт N-D АRL+D
BDW42 100 В 15 А B>1K 85 Вт N-D АRL
BDW46 80 В 15 А B>1K 85 Вт P-D АRL
BDW47 100 В 15 А B>1K 85 Вт P-D АRL
BDW51C 100 В 15 А >3 МГц 125 Вт SI-N
BDW83C 100 В 15 А 150 Вт N-D АRL
BDW83D 120 В 15 А 150 Вт N-D АRL+D
BDW84C 100 В 15 А 150 Вт P-D АRL
BDW84D 120 В 15 А >1 150 Вт P-D АRL+D
BDW93CF 100 В 12 А ISOL А 40 Вт N-D АRL
BDW94C 100 В 12 А 80 Вт P-D АRL
BDX11 160 В 10 А >0.8 МГц 117 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.