Основные характеристики импортных транзисторов BD302 — BD722

10.01.2017
BD302 60 В 8 А >3 МГц 55 Вт SI-P
BD303 60 В 8 А >3 МГц 55 Вт SI-N
BD314 80 В 10 А 150 Вт SI-P
BD317 100 В 16 А 1 МГц 200 Вт SI-N
BD318 100 В 16 А 200 Вт SI-P
BD329 32 В 3 А 130 МГц 15 Вт SI-N
BD330 32 В 3 А 15 Вт SI-P
BD335 100 В 6 А 60 Вт N-D АRL
BD336 100 В 6 А 60 Вт P-D АRL
BD337 120 В 6 А >10 МГц 60 Вт N-D АRL+D
BD362 32 В 3 А 15 Вт SI-P
BD371B 60 В 1,5 А 2,5 Вт SI-N
BD385 60 В 1 А >250 МГц 10 Вт SI-N
BD387 80 В 1 А >250 МГц 10 Вт SI-N
BD410 500 В 1 А 20 Вт SI-N
BD411 50 В 2 А B>25K 10 Вт N-D АRL
BD441 80 В 4 А 3 МГц 36 Вт SI-N
BD442 80 В 4 А 3 МГц 36 Вт SI-P
BD515 45 В 2 А 160 МГц 10 Вт SI-N
BD537 80 В 8 А 50 Вт SI-N
BD538 80 В 4 А >3 МГц 50 Вт SI-P
BD539 40 В 5 А 45 Вт SI-N
BD543C 100 В 8 А 3 МГц 70 Вт SI-N
BD545 40 В 15 А 3 МГц 85 Вт SI-N
BD637 100 В 2 А >3 МГц 3O Вт SI-N
BD638 100 В 2 А >3 МГц 30 Вт SI-P
BD648 80 В 8 А 62,5 Вт P-D АRL
BD651 120 В 8 А 62.5 Вт N-D АRL
BD652 120 В 8 А 62.5 Вт P-D АRL
BD679A 80 В 4 А 40 Вт N-D АRL+D
BD680A 80 В 4 А 40 Вт P-D АRL+D
BD681 100 В 4 А B>75 40 Вт N-D АRL+D
BD682 100 В 4 А 40 Вт P-D АRL+D
BD683 120 В 4 А 40 Вт N-D АRL
BD684 120 В 4 А 40 Вт P-D АRL
BD711 100 В 12 А 75 Вт SI-N
BD712 100 В 12 А PO ВтER 75 Вт SI-P
BD722 80 В 4 А >3 МГц 36 Вт SI-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.