Основные характеристики импортных транзисторов BD109 — BD277

25.12.2016
BD109 60 В 3 А   15 Вт SI-N
BD115 245 В 0.15 А   0.8 Вт SI-N
BD129 400 В 0.5 А   17.5 Вт SI-N
BD131 70 В 3 А >60 МГц 15 Вт SI-N
BD132 45 В 3 А >60 МГц 15 Вт SI-P
BD139 80 В 1.5 А 50 МГц 12.5 Вт SI-N
BD139-16 80 В 1.5 А 50 МГц 12.5 Вт SI-N
BD140 80 В 1.5 А 50 МГц 12.5 Вт SI-P
BD140-16 80 В 1.5 А 50 МГц 12.5 Вт SI-P
BD141 140 В 8 А   117 Вт SI-N
BD142 50 В 15 А   117 Вт SI-N
BD159 375 В 0.5 А   20 Вт SI-N
BD160 250 В 5 А   25 Вт SI-N
BD179 80 В 3 А   30 Вт SI-N
BD180 80 В 3 А >2 МГц 30 Вт SI-P
BD183 85 В 15 А   117 Вт SI-N
BD201 60 В 8 А   55 Вт SI-N
BD201F 60 В 8 А   32 Вт SI-N
BD204F 60/60 В 8 А >7 МГц 60 Вт SI-P
BD230 100 В 1.5 А   12.5 Вт SI-N
BD231 100 В 1.5 А   12.5 Вт SI-P
BD232 300 В 0.25 А   7 Вт SI-N
BD237 100 В 2 А 3 МГц 25 Вт SI-N
BD238 100 В 2 А 3 МГц 25 Вт SI-P
BD239C 100 В 2 А 3 МГц 30 Вт SI-N
BD240 45 В 2 А   30 Вт SI-P
BD240C 100 В 2 А 3 МГц 30 Вт SI-P
BD241C 100 В 3 А 3 МГц 40 Вт SI-N
BD241D 120 В 3 А 3 МГц 40 Вт SI-N
BD242C 100 В 3 А 3 МГц 40 Вт SI-P
BD243C 100 В 6 А 3 МГц 65 Вт SI-N
BD243F 200 В 6 А 3 МГц 65 Вт SI-N
BD244C 100 В 6 А 3 МГц 65 Вт SI-P
BD244F 200 В 6 А 3 МГц 65 Вт SI-P
BD250C 100 В 25 А 3 МГц 125 Вт SI-P
BD277 45 В 7 А >10 МГц 70 Вт SI-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.