Основные характеристики импортных транзисторов BC461 — BC847C

BC461 75 B 2A 1 Вт SI-P
BC485 45 B 1A 200 МГц 0.625 Вт SI-N
BC487B 60 B 1A 200 МГц 0.625 Вт SI-N
BC488 60 B 0.1A >135 МГц 625m Вт SI-P
BC489 80 B 1A 200 МГц 0.625 Вт SI-N
BC490 80 B 1A 200 МГц 0.625 Вт SI-P
BC516 40 B 0.4A 0.625 Вт P-DARL
BC517 40 B 0.4A 0.625 Вт N-DARL
BC538 80 B 1A 100 МГц 0.625 Вт SI-N
BC546A 80 B 0.2A 0.5 Вт SI-N
BC546B 80 B 0.2A 0.5 Вт SI-N
BC546C 80 B 0.1A 0.5 Вт SI-N
BC547A 50 B 0.2A 0.5 Вт SI-N
BC547B 50 B 0.2A 300 МГц 0.5 Вт SI-N
BC547C 50 B 0.2A 300 МГц 0.5 Вт SI-N
BC550B 50 B 0.2A 0.5 Вт SI-N
BC550C 50 B 0.2A 0.5 Вт SI-N
BC556A 60 B 0.2A 0.5 Вт SI-P
BC556B 80 B 0.2A 0.5 Вт SI-P
BC557A 50 B 0.2A 0.5 Вт SI-P
BC557B 50 B 0.2A 0.5 Вт SI-P
BC557C 50 B 0.2A 0.5 Вт SI-P
BC560B 50 B 0.2A 0.5 Вт SI-P
BC560C 50 B 0.2A 0.5 Вт SI-P
BC618 80 B 1A B>10 0.625 Вт N-DARL
BC639 80 B 1A 100 МГц 0.8 Вт SI-N
BC640 80 B 1A 130 МГц 0.8 Вт SI-P
BC807-25 50 B 0.5A 5B 0.25 Вт SI-P
BC807-40 45 B 0.5A 100 МГц 0.3 Вт SI-P
BC817-16 50 B 0.5A 6A 0.25 Вт SI-N
BC817-25 50 B 0.5A 6B 0.25 Вт SI-N
BC817-40 50 B 0.5A 6C 0.25 Вт SI-N
BC828 50 B 0.8A 100 МГц 0.8 Вт SI-P
BC846B 80 B 0.1A 1B 0.25 Вт SI-N
BC847A 50 B 0.1A 0.2 Вт SI-N
BC847B 50 B 0.1A 1F 0.25 Вт SI-N
BC847BR 50 B 0.1A SMD 0.25 Вт SI-N
BC847C 50 B 0,1A 1G 0.25 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика