Основные характеристики импортных транзисторов BC107B — BC451

12.11.2016

 

BC107B 50 B 0.2A 250 МГц 0.3 Вт SI-N
BC107C 50 B 0.2A 250 МГц 0.3 Вт SI-N
BC109B 30 B 0.2A 300 МГц 0.3 Вт SI-N
BC109C 30 B 0.2A 150 МГц 0.3 Вт SI-N
BC117 120 B 50mA >60 МГц 0.3 Вт SI-N
BC119 60 B 1A 10 МГц 0.8 Вт SI-N
BC135 45 B 0.2 Вт >200 МГц SI-N
BC136 60 B 0.5A >60 МГц 0.3 Вт SI-N
BC139 40 B 0.5A 0.7 Вт SI-P
BC141-10 100 B 1A 50 МГц 0.75 Вт SI-N
BC141-16 100 B 1A 50 МГц 0.75 Вт SI-N
BC142 80 B 1A 0.8 Вт SI-N
BC143 60 B 1A AF/DRI BE 0.7 Вт SI-P
BC146 20 B 50mA 150 МГц 50 мВт SI-N
BC161-16 60 B 1A 50 МГц 0.75 Вт SI-P
BC177A 50 B 0.1A 130 МГц 0.3 Вт SI-P
BC177B 50 B 0.1A 130 МГц 0.3 Вт SI-P
BC177C 50 B 0.1A 130 МГц 0.3 Вт SI-P
BC190 70 B 0.1A 250 МГц 0.3 Вт SI-N
BC285 120 B 0.1A 80 МГц 0.36 Вт SI-N
BC300 120 B 0.5A 120 МГц 6 Вт SI-N
BC303 85 B 1A 75 МГц 6 Вт SI-P
BC313 60 B 1A 50 МГц 4 Вт SI-P
BC323 100 B 5A 100 МГц 0.8 Вт SI-N
BC327-16 50 B 0.8A 100 МГц 625 мВт SI-P
BC327-25 50 B 0.8A 100 МГц 625 мВт SI-P
BC327-40 50 B 0.8A 100 МГц 625 мВт SI-P
BC336 25 B 50mA 50 МГц 0.31 Вт SI-P
BC337-16 50 B 0.8A 150 МГц 625m Вт SI-N
BC337-25 50 B 0.8A 150 МГц 625m Вт SI-N
BC337-40 50 B 0.8A 150 МГц 0.625 Вт SI-N
BC368 20 B 1A 100 МГц 0.8 Вт SI-N
BC369 20 B 1A 0.8 Вт SI-P
BC376 25 B 1A 150 МГц 0.625 Вт SI-P
BC393 180 B 10mA 40 мВт SI-P
BC441 75 B 2A 1 Вт SI-N
BC448 80 B 0.3A >100 0.625 Вт SI-P
BC449 100 B 0.3A 0.625 Вт SI-N
BC450 100 B 0.3A 0.625 Вт SI-P
BC451 50 B 0.1A >150 МГц 0.3 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.