| BC849C | 30 B | 0.1A | 2C | 0.25 Вт | SI-N |
| BC850C | 45 B | 0.1A | 2G | 0.25 Вт | SI-N |
| BC856A | 0.1A | 150 МГц | 3A | SI-P 65 B | |
| BC856B | 0.1A | 150 МГц | 3B | SI-P 65 B | |
| BC857A | 0.1A | 150 МГц | SI-P 50 B | ||
| BC857B | 0.1A | 0.2 Вт | 3F | SI-P 45 B | |
| BC857BR | 45 B | 0.1A | 0.2 Вт | SI-P | |
| BC857C | 45 B | 0.1A | 3G | 0.25 Вт | SI-P |
| BC859B | 30 B | 0.1A | 4B | 0.25 Вт | SI-P |
| BC860B | 50 B | 0.1A | 4F | SI-P | |
| BC860C | 50 B | 0.1A | 4G | SI-P | |
| BC868 | 25 B | 1A | 60 МГц | SI-N | |
| BC869 | 25 B | 1A | 60 МГц | 1 Вт | SI-P |
| BC879 | 100 B | 1A | 0.8 Вт | N-DARL | |
| BC880 | 100 B | 1A | 0.8 Вт | P-DARL | |
| BCP68 | 20 B | 1A | 60 МГц | 1.5 Вт | SI-N |
| BC B27 | 40 B | 0.5A | B>1 | 0.25 Вт | N-DARL |
| BCX17 | 50 B | 0.5A | 100 МГц T1 | SI-P | |
| BCX17R | 50 B | 0.5A | 100 МГц T4 | SI-P | |
| BCX19 | 50 B | 0.5A | 200 МГц | 300 мВт | SI-N |
| BCX38B | 80 B | 0.8A | B>4000 | 1 Вт | N-DARL |
| BCX53 | 100 B | 1A | 50 МГц | SI-P | |
| BCX56 | 100 B | 1A | 130 МГц | SI-N | |
| BCY59 | 45 B | 0.2A | 250 МГц | 1 Вт | SI-N |
| BCY71 | 45 B | 0.2A | 0.35 Вт | SI-P | |
| BCY72 | 30 B | 0.2A | 0.35 Вт | SI-P | |
| BCY79 | 45 B | 0.2A | 180 МГц | 1 Вт | SI-P |
| BCY85 | 100 B | 0.2A | 0.3 Вт | SI-N |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- ARRAY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -DARL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом