Основные характеристики импортных транзисторов BC849C — BCY85

BC849C 30 B 0.1A 2C 0.25 Вт SI-N
BC850C 45 B 0.1A 2G 0.25 Вт SI-N
BC856A 0.1A 150 МГц 3A SI-P 65 B
BC856B 0.1A 150 МГц 3B SI-P 65 B
BC857A 0.1A 150 МГц SI-P 50 B
BC857B 0.1A 0.2 Вт 3F SI-P 45 B
BC857BR 45 B 0.1A 0.2 Вт SI-P
BC857C 45 B 0.1A 3G 0.25 Вт SI-P
BC859B 30 B 0.1A 4B 0.25 Вт SI-P
BC860B 50 B 0.1A 4F SI-P
BC860C 50 B 0.1A 4G SI-P
BC868 25 B 1A 60 МГц SI-N
BC869 25 B 1A 60 МГц 1 Вт SI-P
BC879 100 B 1A 0.8 Вт N-DARL
BC880 100 B 1A 0.8 Вт P-DARL
BCP68 20 B 1A 60 МГц 1.5 Вт SI-N
BC B27 40 B 0.5A B>1 0.25 Вт N-DARL
BCX17 50 B 0.5A 100 МГц T1 SI-P
BCX17R 50 B 0.5A 100 МГц T4 SI-P
BCX19 50 B 0.5A 200 МГц 300 мВт SI-N
BCX38B 80 B 0.8A B>4000 1 Вт N-DARL
BCX53 100 B 1A 50 МГц SI-P
BCX56 100 B 1A 130 МГц SI-N
BCY59 45 B 0.2A 250 МГц 1 Вт SI-N
BCY71 45 B 0.2A 0.35 Вт SI-P
BCY72 30 B 0.2A 0.35 Вт SI-P
BCY79 45 B 0.2A 180 МГц 1 Вт SI-P
BCY85 100 B 0.2A 0.3 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика