Основные характеристики импортных транзисторов 2N4401 — 2N914

06.01.2016
2N4401 60 В 0.6 А 200 MHz SI-N
2N4416 30 В 15 mА ВHF/UHF N-FET
2N4427 40 В 0.4 А 175 MHz 1 Вт SI-N
2N4920 80 В 1 А 30 Вт SI-P
2N5038 150 В 20 А 0.5us 140 Вт SI-N
2N5109 40 В 0.5 А 1.5 GHz 2.5 Вт SI-N
2N5154 100 В 2 А 10 Вт SI-N
2N5192 80 В 4 А 2 MHz 40 Вт SI-N
2N5298 80 В 4 А >0.8 MHz 36 Вт SI-N
2N5320 100 В 2 А АFS ВтITCH 10 Вт SI-N
2N5401 160 В 0.6 А 0.31 Вт SI-P
2N5433 25 В 0.4 А 7E 0.3 Вт N-FET
2N5458 25 В 2.9 mА UNI N-FET
2N5461 40 В 9 mА 0.31 Вт P-FET
2N5484 25 В 5 mА 0.31 Вт N-FET
2N5551 180 В 0.6 А ВID 0.31 Вт SI-N
2N5639 30 В 10 mА 310 мВт N-FET
2N5680 120 В 1 А 1 Вт SI-P
2N5684 80 В 50 А 200 Вт SI-P
2N5770 30 В 0.05 А >900 MHz 0.7 Вт SI-N
2N5876 80 В 10 А >4 MHz 150 Вт SI-P
2N5879 60 В 10 А >4 MHz 150 Вт SI-N
2N6050 60 В 12 А 100 Вт P-D АRL+D
2N6083 36 В 5 А 175 MHz PQ=30 Вт SI-N
2N6099 70 В 10 А АFPO ВтS ВтITCH 75 Вт SI-N
2N6124 45 В 4 А 40 Вт SI-P
2N6213 400 В 2 А >20 MHz 35 Вт SI-P
2N6284 100 В 20 А B>75 160 Вт N-D АRL
2N6292 80 В 7 А 40 Вт SI-N
2N6422 500 В 2 А >10 MHz 35 Вт SI-P
2N6476 130 В 4 А 5 MHz 16 Вт SI-P
2N6491 90 В 15 А 30 Вт SI-P
2N6520 350 В 0.5 А >40 0.625 Вт SI-P
2N6556 100 В 1 А >75 MHz 10 Вт SI-P
2N6660 60 В 2 А 3E 6.25 Вт N-FET
2N6675 400 В 15 А SI-N
2N6716 60 В 2 А <50 MHz 2 Вт SI-N
2N6725 60 В 2 А B>15K 1 Вт N-D АRL
2N697 60 В 1 А 50 MHz 0.6 Вт SI-N
2N914 40 В 0.5 А S Вт <40/40NS SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.