Основные характеристики импортных транзисторов 2N1304 — 2N4392

03.01.2016
2N1304 25 В 0.3 A 10 MHz 0.15 Вт GE-N
2N1307 30 В 0.3 A B>60 0.15 Вт GE-P
2N1711 75 В 1 A 70 MHz 0.8 Вт SI-N
2N2102 120 В 1 A <120 MHz 1 Вт SI-N
2N2165 30 В 50 mA 18 MHz 0.15 Вт SI-P
2N2219A 40 В 0.8 A 250 MHz 0.8 Вт SI-N
2N2223 100 В 0.5 A >50 0.6 Вт 2xSI-N
2N2243A 120 В 1 A 50 MHz 0.8 Вт SI-N
2N2857 30 В 40 mA >1 GHz 0.2 Вт SI-N
2N2905A 60 В 0.6 A 45/100 0.6 Вт SI-P
2N2907A 60 В 0.6 A 45/100 0.4 Вт SI-P
2N2926 25 В 0.1 A 300 MHz 0.2 Вт SI-N
2N3019 140 В 1 A 100 MHz 0.8 Вт SI-N
2N3054 90 В 4 A 3 MHz 25 Вт SI-N
2N3055 100 В 15 A 800 kHz 115 Вт SI-N
2N3251 50 В 0.2 A 0.36 Вт SI-P
2N3439 450 В 1 A 15 MHz 10 Вт SI-N
2N3441 160 В 3 A POWER 25 Вт SI-N
2N3495 120 В 0.1 A >150 MHz 0.6 Вт SI-P
2N3553 65 В 0.35 A 500 MHz 7 Вт SI-N
2N3583 250/175 В 2 A >10 MHz 35 Вт SI-N
2N3646 40 В 0.2 A 0.2 Вт SI-N
2N3707 30 В 0.03 A 100 MHz 0.36 Вт SI-N
2N3716 100 В 10 A 4 MHz 150 Вт SI-N
2N3740 60 В 4 A >4 MHz 25 Вт SI-P
2N3742 300 В 0.05 A >30 MHz 1 Вт SI-N
2N3771 50 В 30 A POWER 150 Вт SI-N
2N3773 160 В 16 A POWER 150 Вт SI-N
2N3819 25 В 20 mA 0.36 Вт N-FET
2N3821 50 В 2.5 mA 0.3 Вт N-FET
2N3866 55 В 0.4 A 175 MHz 1 Вт SI-N
2N3906 40 В 0.2 A 250 MHz .35 Вт SI-P
2N3958 50 В 5 mA 0.25 Вт N-FET
2N3972 40 В 50 mA 1.8 Вт N-FET
2N4033 80 В 1 A 150 MHz 0.8 Вт SI-P
2N409 13 В 15 mA 6.8 MHz 80 мВт GE-P
2N4220 30 В 0.2 A N-FET
2N427 30 В 0.4 A B>40 0.15 Вт GE-P
2N4286 30 В 0.05 A 0.25 Вт SI-N
2N4291 40 В 0.2 A 150 MHz 0.25 Вт SI-P
2N4347 140 В 5 A 0.8 MHz 100 Вт SI-N
2N4351 30 В 30 mA 140 kHz 0.3 Вт N-FET
2N4392 40 В 25 mA Up<5 В 60E N-FET
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.