Основные характеристики импортных транзисторов 2SA1006B — 2SA1266

2SA1006B 250V 1.5A 80MHz 25W SI-P
2SA1009 350V 2A 15W SI-P
2SA1011 160V 1.5A 120MHz 25W SI-P
2SA1013 160V 1A 50MHz 0.9W SI-P
2SA1015 50V 0.15A 80MHz 0.4W SI-P
2SA1016 100V 0.05A 110MHz 0.4W SI-P
2SA1017 120V 50mA 110MHz 0.5W SI-P
2SA1018 250V 70mA >50MHz 0.75W SI-P
2SA1020 50V 2A 100MHz 0.9W SI-P
2SA1027 50V 0.2A 100MHz 0.25W SI-P
2SA1029 30V 0.1A 280MHz 0.2W SI-P
2SA1034 35V 50mA 200MHz 0.2W SI-P
2SA1037 50V 0.4A 140MHz SI-P
2SA1048 50V 0.15A 80MHz 0.2W SI-P
2SA1049 120V 0.1A 100MHz 0.2W SI-P
2SA1061 100V 6A 15MHz 70W SI-P
2SA1062 120V 7A 15MHz 80W SI-N
2SA1065 150V 10A 50MHz 120W SI-P
2SA1084 90V 0.1A 90MHz 0.4W SI-P
2SA1103 100V 7A 20MHz 70W SI-P
2SA1106 140V 10A 20MHz 100W SI-P
2SA1110 120V 0.5A 250MHz 5W SI-P
2SA1111 150V 1A 200MHz 20W SI-P
2SA1112 180V 1A 200MHz 20W SI-P
2SA1115 50V 0.2A 200MHz SI-P
2SA1120 35V 5A 170MHz SI-P
2SA1123 150V 50mA 200MHz 0.75W SI-P
2SA1124 150V 50mA 200MHz 1W SI-P
2SA1127 60V 0.1A 200MHz 0.4W SI-P
2SA1141 115V 10A 90MHz 100W SI-P
2SA1142 180V 0.1A 180MHz 8W SI-P
2SA1145 150V 50mA 200MHz 0.8W SI-P
2SA1150 35V 0.8A 120MHz 0.3W SI-P
2SA1156 400V 0.5A POWER 10W SI-P
2SA1160 20V 2A 150MHz 0.9W SI-P
2SA1163 120V 0.1A 100MHz SI-P
2SA1170 200V 17A 20MHz 200W SI-P
2SA1185 50V 7A 100MHz 60W SI-P
2SA1186 150V 10A 100W SI-P
2SA1200 150V 50mA 120MHz 0.5W SI-P
2SA1201 120V 0.8A 120MHz 0.5W SI-P
2SA1206 15V 0.05A 0.6W SI-P
2SA1207 180V 70mA 150MHz 0.6W SI-P
2SA1208 180V 0.07A 0.9W SI-P
2SA1209 180V 0.14A 10W SI-P
2SA1210 200V 0.14A 10W SI-P
2SA1213 50V 2A 120MHz 0.5W SI-P
2SA1215 160V 15A 50MHz 150W SI-P
2SA1216 180V 17A 40MHz 200W SI-P
2SA1220A 120V 1.2A 160MHz 20W SI-P
2SA1221 160V 0.5A 45MHz 1W SI-P
2SA1225 160V 1.5A 100MHz 15W SI-P
2SA1227A 140V 12A 60MHz 120W SI-P
2SA1232 130V 10A 60MHz 100W SI-P
2SA1241 50V 2A 100MHz 10W SI-P
2SA1242 35V 5A 170MHz 1W SI-P
2SA1244 60V 5A 60MHz 20W SI-P
2SA1249 180V 1.5A 120MHz 10W SI-P
2SA1261 100V 10A POWER 60W SI-P
2SA1262 60V 4A 15MHz 30W SI-P
2SA1264N 120V 8A 30MHz 80W SI-P
2SA1265N 140V 10A 30MHz 100W SI-P
2SA1266 50V 0.15A POWER 0.4W SI-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.