Основные характеристики импортных транзисторов 2N4302 — 2N918

29.12.2015
2N4302 30 В 0.5 mА 0.3 Вт N-FET
2N4348 140 В 10 А >0.2 MHz 120 Вт SI-N
2N4391 40 В 50 mА Up<10 В 30E N-FET
2N4393 40 В 5 mА Up<3 В 100E N-FET
2N4403 40 В 0.6 А 200 MHz SI-P
2N4420 40 В 0.2 А 0.36 Вт SI-N
2N4906 80 В 5 А >4 MHz 87.5 Вт SI-P
2N4923 80 В 1 А 30 Вт SI-N
2N5090 55 В 0.4 А 4 Вт SI-N
2N5116 30 В 5 mА Up<4 В 150E P-FET
2N5179 20 В 50 mА >1 GHz 0.2 Вт SI-N
2N5240 375 В 5 А >2 MHz 100 Вт SI-N
2N5308 40 В 0.3 А B>7K 0.4 Вт N-D АRL
2N5322 100 В 2 А АFS ВтITCH 10 Вт SI-P
2N5416 350 В 1 А 15 MHz 10 Вт SI-P
2N5457 25 В 1 mА Up<6 В N-FET
2N5460 40 В 5 mА GEN.P Up<6 В P-FET
2N5462 40 В 16 mА GEN. Up<9 В P-FET
2N5485 25 В 4m А Up<4 В P-FET
2N5589 36 В 0.6 А 175 MHz 3 Вт SI-N
2N5672 150 В 30 А 0.5us 140 Вт SI-N
2N5682 120 В 1 А >30 MHz 1 Вт SI-N
2N5686 80 В 50 А >2 MHz 300 Вт SI-N
2N5771 15 В 50 mА >850 MHz 625 мВт SI-P
2N5878 80 В 10 А >4 MHz 150 Вт SI-N
2N5884 80 В 25 А АFPO ВтS Вт 200 Вт SI-P
2N6031 140 В 16 А 1 MHz 200 Вт SI-P
2N6059 100 В 12 А 150 Вт SI-N
2N6098 70 В 10 А АFPO ВтS ВтITCH 75 Вт SI-N
2N6109 60 В 7 А 10 MHz 40 Вт SI-P
2N6211 275 В 2 А 20 MHz 20 Вт SI-P
2N6248 110 В 15 А >6 MHz 125 Вт SI-P
2N6287 100 В 20 А 160 Вт P-D АRL
2N6356 50 В 20 А B>150 150 Вт N-D АRL
2N6427 40 В 0.5 А 0.625 Вт N-D АRL
2N6488 90 В 15 А 75 Вт SI-N
2N6517 350 В 0.5 А >40 0.625 Вт SI-N
2N6547 850/400 В 15 А 175 Вт SI-N
2N6609 160 В 16 А 2 MHz 150 Вт SI-P
2N6661 90 В 2 А 4E 6.2 Вт N-FET
2N6678 400 В 15 А SI-N
2N6718 100 В 2 А 50 MHz 2 Вт SI-N
2N6728 60 В 2 А >50 MHz 2 Вт SI-P
2N7002 60 В 0.115 А 7E5 0.2 Вт N-FET
2N918 30 В 50 mА 600 MHz 0.2 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.