Основные характеристики импортных транзисторов DTC143EK — HPA150R

DTC143EK 50 В 0.1 A 4K7/4K 0.2 Вт SI-N
DTC143ES 50 В 0.1 A 4K7/4K7OHM SI-N
DTC143TS 50 В 0.1 A 4K7OHM SI-N
DTC143XS 50 В 0.1 A 4.7K/1 0.3 Вт SI-N
DTC144EK 50 В 0.1 A 47/47K 0.2 Вт SI-N
DTC144ES 50 В 0.1 A 47K/47KOHM SI-N
DTC144EU 50 В 0.1 A 47/47K 0.2 Вт SI-N
DTC144TS 50 В 0.1 A 47KOhm 0.3 Вт SI-N
DTC144WS 50 В 0.1 A 47/22K 0.2 Вт SI-N
ESM6045DV 450 В 84 A 250 Вт N-DARL+D
FT5754M ARRAY DARL
FT5764M ARRAY DARL
GD243 65 В 3 A 10 Вт GE-P
GT20D101 250 В 20 A 180 Вт N-IGBT
GT20D201 250 В 20 A 250 Вт P-IGBT
H6N80 800 В 4.2 A 1E9 170 Вт N-FET
HPA100R 1500 В 10 A 0.2 150 Вт SI-N+D
HPA150R 1500 В 15 A 0.2 180 Вт SI-N+D
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • DARL — составной
  • N-FET — полевой сN-каналом
  • P-FET — полевой сP-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика