Основные характеристики импортных транзисторов BUZ22 — BUZ93

BUZ22 100 В 34 А 0.055 125 Вт N-FET
BUZ30A 200 В 7 А 75 Вт N-FET
BUZ310 1000 В 2.5 А <5E 75 Вт N-FET
BUZ325 400 В 12.5 А <E3 125 Вт N-FET
BUZ326 400 В 10.5 А 125 Вт N-FET
BUZ330 500 В 9.5 А 0E6 125 Вт N-FET
BUZ332 600 В 8.5 А 0.8R 150 Вт N-FET
BUZ332A 600 В 8 А 0.9E 150 Вт N-FET
BUZ338 500 В 13.5 А <E4 180 Вт N-FET
BUZ341 200 В 33 А 0.07E 170 Вт N-FET
BUZ345 100 В 41 А <E045 150 Вт N-FET
BUZ349 100 В 32 А 125 Вт N-FET
BUZ380 1000 В 5.5 А 140 125 Вт N-FET
BUZ384 500 В 10.5 А 125 Вт N-FET
BUZ50A 1000 В 2.5 А 5E 75 Вт N-FET
BUZ71 50 В 18 А 0.1R 80 Вт N-FET
BUZ71AF 50 В 11 А 0.12R 35 Вт N-FET
BUZ72A 100 В 11 А N-FET
BUZ72AF 100 В 10 А ISOL АT 40 Вт N-FET
BUZ73 200 В 7 А 0.4R 40 Вт N-FET
BUZ73A 200 В 5.8 А 0.6R 40 Вт N-FET
BUZ90 600 В 4.5 А <1E6 70 Вт N-FET
BUZ900 160 В 8 А 125 Вт N-FET
BUZ901 200 В 8 А 125 Вт N-FET
BUZ905 160 В 8 А 125 Вт P-FET
BUZ906 200 В 8 А 125 Вт P-FET
BUZ90A 600 В 4 А 2R 75 Вт N-FET
BUZ90AF 600 В 4.3 А 75 Вт N-FET
BUZ91A 600 В 8 А 0.9R 150 Вт N-FET
BUZ93 600 В 3.6 А <2E5 80 Вт N-FET
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика