Основные характеристики импортных транзисторов BUX77 — BUZ215А

Основные характеристики импортных транзисторов BUX77 — BUZ215

BUX77 100 В 5 A >2.5 MHz 40 Вт SI-N
BUX80 800 В 10 A 100 Вт SI-N
BUX81 1000 В 10 A 100 Вт SI-N
BUX82 800 В 6 A 60 Вт SI-N
BUX84 800 В 2A 0.4us 40 Вт SI-N
BUX85 1000 В 2 A 0.4us 40 Вт SI-N
BUX85F 1000 В 2 A 0.4us 18 Вт SI-N
BUX86P 800 В 0.5 A 0.4us 20 Вт SI-N
BUX87 1000 В 0.5 A 0.4us 20 Вт SI-N
BUX87P 1000 В 0.5 A 0.4us 20 Вт SI-N
BUX88 1500 В 12 A 7 MHz 160 Вт SI-N
BUX98A 450 В 30 A 250 Вт SI-N
BUX98C 1200 В 30 A 5 MHz 250 Вт SI-N
BUY18S 80/40 В 10 A 20 Вт SI-N
BUY47 150/120 В 7 A 90 MHz 10 Вт SI-N
BUY49P 250 В 3 A 10 Вт SI-N
BUY49S 250 В 3 A 50 MHz 10 Вт SI-N
BUY69A 1000 В 10 A 1us 100 Вт SI-N
BUY70A 1000/400 В 10 A 75 Вт SI-N
BUY71 2200 В 2 A HORDEFL 40 Вт SI-N
BUY72 280/200 В 10 A 60 Вт SI-N
BUY89 1500 В 6 A 80 Вт SI-N
BUZ10 50 В 20 A 0.08R 80 Вт N-FET
BUZ100 50 В 60 A 0.18E 250 Вт N-FET
BUZ11 50 В 36 A N-FET
BUZ11A 50 В 27 A 0.055R 90 Вт N-FET
BUZ14 50 В 39 A 125 Вт N-FET
BUZ15 50 В 45 A 125 Вт N-FET
BUZ171 50 В 8 A 0.3R 40 Вт P-FET
BUZ21 100 В 21 A N-FET
BUZ215 500 В 5 A <1E5 75 Вт N-FET
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика