Основные характеристики импортных транзисторов BUS98A — BUV48A

 

BUS98A 450V 30A 250W SI-N
BUT11A 1000V 5A 0.8us 100W SI-N
BUT11A 1000V 5A 0.8us 100W SI-N
BUT11AF 1500V 5A 0.8us 20W SI-N
BUT12A 1000V 8A 0.8us 125W SI-N
BUT12AF 1000V 8A 0.8us 23W SI-N
BUT13 400V 28A 175W N-DARL+D
BUT18A 1000/450V 6A 0. 110W SI-N
BUT18AF 1000V 6A 0.8us 33W SI-N
BUT30V 200/125V 100A 250W SI-N
BUT34 850V 50A 250W N-DARL+D
BUT56A 1000V 8A 100W SI-N
BUT57 400V 15A B> 110W N-DARL+D
BUT70 200V 40A 200W SI-N
BUT72 400V 40A 200W SI-N
BUT76A 1000V 10A 0.8us 100W SI-N
BUT90 200V 50A 250W SI-N
BUT92 350/250V 50A 250W SI-N
BUT93 600V 4A 9MHz 55W SI-N
BUV18 120V 47A 1.5us 250W SI-N
BUV20 160V 50A 1.5us 250W SI-N
BUV21 250/200V 40A 250W SI-N
BUV23 325V 40A 250W SI-N
BUV24 400V 30A 250W SI-N
BUV25 500V 20A 250W SI-N
BUV26 180V 14A 1.8us 85W SI-N
BUV26A 200V 20A 85W SI-N
BUV27 240V 12A 40ns 65W SI-N
BUV28 400V 10A 40ns 65W SI-N
BUV28A 450V 10A 40NS 65W SI-N
BUV46A 1000/450V 6A 85W SI-N
BUV48A 1000V 15A 0.8us 150W SI-N
  • GE-N — германиевыйn-p-n
  • SI-N — кремниевыйn-p-n
  • GE-P — германиевыйn-n-p
  • SI-P — кремниевыйp-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой сN-каналом
  • P-FET — полевой сP-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика