Основные характеристики зарубежных транзисторов BU810 — BUS48AP

BU810 600V 7A 75W N-DARL+D
BU824 650V 0.5A N-DARL+D
BU826 800V 6A 0.2 125W N-DARL+D
BU826A 900V 6A 0.2 125W N-DARL+D
BU920P 350V 10A 120W N-DARL
BU921P 400/450V 10A 120W SI-N
BU931 500V 15A 175W SI-N
BU931T 450V 10A 125W SI-N
BU932 500V 15A 175W N-DARL
BU932P 500V 15A 125W N-DARL
BU941P 500V 15A 150W N-DARL
BU941ZP 350V 15A 150W N-DARL
BUF405A 1000/450V 7.5A 80W SI-N
BUF405AF 1000V 7.5A ISOLATED SI-N
BUF410 850V 15A 125W SI-N
BUH1015 1500V 14A 0.11us 160W SI-N
BUH1015HI 1500V 14A 0.11us 70W SI-N
BUH1215 1500V 19A 0.11us 200W SI-N
BUH315 1500V 5A 50W SI-N
BUH315D 1500/700V 5A 50W SI-N+D
BUH515 1500V 8A 3.9us 60W SI-N
BUH515D 1500/700V 8A 60W SI-N+D
BUH517 1700V 8A 3.9us 60W SI-N
BUH517D 1700/700V 8A 60W SI-N+D
BUH715 1500V 10A 60W SI-N
BUK436/800B 800V 4A <4E 125W N-FET
BUK437/400B 400V 14A 180W N-FET
BUK437/600B 600V 9A <1E2 180W N-FET
BUK438/800B 800V 7.6A 2E 220W N-FET
BUK443/60B 60V 13A <E1 25W N-FET
BUK444/800B 800V 1.2A 8E 30W N-FET
BUK445/600B 600V 2.2A 2R5 30W N-FET
BUK446/800B 800V 2A 30W N-FET
BUK454/800A 800V 2A 75W N-FET
BUK455/600B 600V 4A 2R5 100W N-FET
BUK456/200B 200V 19A <E2 150W N-FET
BUK456/60A 60V 52A 0.028E 150W N-FET
BUK456/800A 800V 4A 3E 125W N-FET
BUK555/60B 60V 35A 0.055E 125W N-FET
BUL310 1000V 5A 0.4us 75W SI-N
BUL310PI 1000V 5A 0.4us 35W SI-N
BUL45 400V 5A 12MHz 75W SI-N
BUL54A 1000V 4A 20MHz 65W SI-N
BUL810 1000V 15A 125W SI-N
BUR51 300/200V 60A 350W SI-N
BUR52 350/250V 60A 350W SI-N
BUS14A 1000/450V 30A 250W SI-N
BUS23 300V 15A 175W SI-N
BUS48A 1000V 15A 175W SI-N
BUS48AP 1000V 15A 125W SI-N
  • GE-N — германиевыйn-p-n
  • SI-N — кремниевыйn-p-n
  • GE-P — германиевыйp-n-p
  • SI-P — кремниевыйp-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой сN-каналом
  • P-FET — полевой сP-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика