Основные характеристики импортных транзисторов BFV30 — BFY90

BFV30 10 В 0.1 A 1.6 ГГц 0.25 Вт SI-N
BFV43 150 В 0.1 A 150 МГц 0.4 Вт SI-P
BFV44 150 В 0.1 A 50 МГц 0.7 Вт SI-P
BFV92 15 В 50 мA 1.6 ГГц 0.3 Вт SI-N
BFV92A 15 В 25 мA 3.2 ГГц 13dB SI-N
BFX34 60 В 5 A 0.87 Вт SI-N
BFX37 90 В 0.1 A 70 МГц 0.36 Вт SI-P
BFX38 55 В 1 A B>85 0.8 Вт SI-P
BFX40 75 В 1 A B>85 0.8 Вт SI-P
BFX48 30 В 0.1 A 0.36 Вт SI-P
BFX55 60 В 0.4 A 700 МГц 2.2 Вт SI-N
BFX85 100 В 1 A 0.8 Вт SI-N
BFX89 15 В 50 мA 1.3 ГГц 0.2 Вт SI-N
BFY39 45 В 0.1 A 150 МГц 0.3 Вт SI-N
BFY50 80 В 1 A 55/175ns 0.7 Вт SI-N
BFY51 60 В 1 A 0.7 Вт SI-N
BFY52 40 В 1 A 100 МГц 0.8 Вт SI-N
BFY56 60 В 1 A 0.8 Вт SI-N
BFY64 40 В 0.6 A 0.7 Вт SI-P
BFY88 25 В 25 мA 850 МГц SI-N
BFY90 15 В 25 мA 2 ГГц 8dB SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика