| BFV30 | 10 В | 0.1 A | 1.6 ГГц | 0.25 Вт | SI-N |
| BFV43 | 150 В | 0.1 A | 150 МГц | 0.4 Вт | SI-P |
| BFV44 | 150 В | 0.1 A | 50 МГц | 0.7 Вт | SI-P |
| BFV92 | 15 В | 50 мA | 1.6 ГГц | 0.3 Вт | SI-N |
| BFV92A | 15 В | 25 мA | 3.2 ГГц | 13dB | SI-N |
| BFX34 | 60 В | 5 A | 0.87 Вт | SI-N | |
| BFX37 | 90 В | 0.1 A | 70 МГц | 0.36 Вт | SI-P |
| BFX38 | 55 В | 1 A | B>85 | 0.8 Вт | SI-P |
| BFX40 | 75 В | 1 A | B>85 | 0.8 Вт | SI-P |
| BFX48 | 30 В | 0.1 A | 0.36 Вт | SI-P | |
| BFX55 | 60 В | 0.4 A | 700 МГц | 2.2 Вт | SI-N |
| BFX85 | 100 В | 1 A | 0.8 Вт | SI-N | |
| BFX89 | 15 В | 50 мA | 1.3 ГГц | 0.2 Вт | SI-N |
| BFY39 | 45 В | 0.1 A | 150 МГц | 0.3 Вт | SI-N |
| BFY50 | 80 В | 1 A | 55/175ns | 0.7 Вт | SI-N |
| BFY51 | 60 В | 1 A | 0.7 Вт | SI-N | |
| BFY52 | 40 В | 1 A | 100 МГц | 0.8 Вт | SI-N |
| BFY56 | 60 В | 1 A | 0.8 Вт | SI-N | |
| BFY64 | 40 В | 0.6 A | 0.7 Вт | SI-P | |
| BFY88 | 25 В | 25 мA | 850 МГц | SI-N | |
| BFY90 | 15 В | 25 мA | 2 ГГц | 8dB | SI-N |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRR АY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -D АRL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом