Основные характеристики импортных транзисторов BGX885N — BSV52

BGX885N     860 МГц 17 dB CATV АMPL
BGY88     450 МГц 35 dB CATV АMP
BGY89     450 МГц 38 dB CATV АMP
BLW32 50 В 0.65 А 3.5 ГГц 10 Вт SI-N
BLW60C 18 В 9 А 650 МГц 100 Вт SI-N
BLX15 110 В 6.5 А 275 МГц 195 Вт SI-N
BLY87C 36 В 1.53 А 175 МГц 20 Вт SI-N
BLY88C 18 В 3 А 850 МГц 36 Вт SI-N
BLY89C 18 В 6 А 800 МГц 73 Вт SI-N
BLY93C 65 В 2 А 175 МГц 25 Вт SI-N
B Y94 65 В 6 А 175 МГц 50 Вт SI-N
BS107 200 В 0.13 А 26 R 0.8 Вт N-FET
BS108 200 В 0.23 А 8E 0.8 Вт N-FET
BS170 60 В 0.3 А 5R 0.8 Вт N-FET
BS208 200 В 0.2 А   0.8 Вт P-FET
BS250 45 В 0.18 А   0.83 Вт P-FET
BSN254A 250 В 0.3 А   1 Вт <7E N-FET
BSN274 270 В 0.25 А <8E 1 Вт N-FET
BSN304 300 В 0.25 А   1 Вт <8E N-FET
BSR14 75 В 0.8 А <35/285 ns   SI-N
BSR31 70 В 1 А   B>100 SI-P
BSR50 60 В 2 А 350 МГц 0.8 Вт N-DARL
BSR60 45 В 1 А   0.8 Вт P-DARL
BSS123 100 В 0.17 А 13/29 ns   N-FET
BSS38 120 В 0.1 А   0.2 Вт SI-N
BSS44 65 В 5 А   5 Вт SI-P
BSS52 100 В 1 А   0.8 Вт N-DARL
BSS68 60/40 В 0.8 А <50/110 ns   SI-P
BSS89 240 В 0.3 А 6R 1 Вт N-FET
BSS91 200 В 0.35 А <6E 1.5 Вт N-FET
BSS92 200 В 0.15 А 38/45 1 Вт P-FET
BSV52 20 В 0.1 А 400 МГц 225 мВт SI-N
  • GE-N — германиевый N-p-n
  • SI-N — кремниевый N-p-n
  • GE-P — германиевый P-n-p
  • SI-P — кремниевый P-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика