Основные характеристики импортных транзисторов BFR37 — BFV17A

 

BFR37 30 В 50 мA 1.4 ГГц 0.25 Вт SI-N
BFR38 40 В 20 мA 1 ГГц 0.2 Вт SI-P
BFR39 90 В 1 A >100 МГц 0.8 Вт SI-N
BFR40 70 В 1 A >100 МГц 0.8 Вт SI-N
BFR79 90 В 1 A >100 МГц 0.8 Вт SI-P
BFR84 20 В 50 мA 0.3 Вт N-FET-DG
BFR90 15 В 30 мA 5 ГГц 19.5 dB SI-N
BFR90A 15 В 30 мA 5.5 ГГц 16 dB SI-N
BFR91 12 В 50 мA 5 ГГц 18 dB SI-N
BFR91A 12 В 50 мA 6 ГГц 14 dB SI-N
BFR92 15 В 30 мA 5 ГГц 19.5 dB SI-N
BFR92A 15 В 30 мA 5.5 ГГц 16 dB SI-N
BFR92R 15 В 30 мA 5 ГГц RE ВERS SI-N
BFR93A 15 В 50 мA 6 ГГц 14 dB SI-N
BFR95 25 В 0.15 A 3.5 ГГц 1.5 Вт SI-N
BFR96 15 В 75 мA 5 ГГц 16 dB SI-N
BFR96S 15 В 0.1 A 5.5 ГГц 11 dB SI-N
BFS17 15 В 25 мA 1 ГГц SI-N
BFS19 30 В 30 мA 260 МГц SI-N
BFS20 30 В 25 мA 450 МГц SI-N
BFS22A 3 В 0.75 A 175 МГц 4 Вт SI-N
BFS23A 36 В 0.5 A 500 МГц 4.5 Вт SI-N
BFT25 8 В 6.5 мA 500NHz 50 мВт SI-N
BFT43 125/100 В 1 A 0.8 Вт SI-N
BFT45 250 В 0.5 A 70 МГц 0.75 Вт SI-P
BFT66 15 В 30 мA 4.5 ГГц 12 dB SI-N
BFT79 90 В 1 A >100 МГц 0.8 Вт SI-P
BFT95 15 В 25 мA 3.6-5 ГГц UHF SI-P
BFV10 30 В 20 мA A мPL. N-FET
BFV11 30 В 10 мA A мPL. N-FET
BFV12 30 В 5 мA A мPL. N-FET
BFV16A 25 В 0.3 A 1.2 ГГц 1.5 Вт SI-N
BFV17A 25 В 0.3 A 1.1 ГГц 1.5 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика