| BFR37 | 30 В | 50 мA | 1.4 ГГц | 0.25 Вт | SI-N |
| BFR38 | 40 В | 20 мA | 1 ГГц | 0.2 Вт | SI-P |
| BFR39 | 90 В | 1 A | >100 МГц | 0.8 Вт | SI-N |
| BFR40 | 70 В | 1 A | >100 МГц | 0.8 Вт | SI-N |
| BFR79 | 90 В | 1 A | >100 МГц | 0.8 Вт | SI-P |
| BFR84 | 20 В | 50 мA | 0.3 Вт | N-FET-DG | |
| BFR90 | 15 В | 30 мA | 5 ГГц | 19.5 dB | SI-N |
| BFR90A | 15 В | 30 мA | 5.5 ГГц | 16 dB | SI-N |
| BFR91 | 12 В | 50 мA | 5 ГГц | 18 dB | SI-N |
| BFR91A | 12 В | 50 мA | 6 ГГц | 14 dB | SI-N |
| BFR92 | 15 В | 30 мA | 5 ГГц | 19.5 dB | SI-N |
| BFR92A | 15 В | 30 мA | 5.5 ГГц | 16 dB | SI-N |
| BFR92R | 15 В | 30 мA | 5 ГГц | RE ВERS | SI-N |
| BFR93A | 15 В | 50 мA | 6 ГГц | 14 dB | SI-N |
| BFR95 | 25 В | 0.15 A | 3.5 ГГц | 1.5 Вт | SI-N |
| BFR96 | 15 В | 75 мA | 5 ГГц | 16 dB | SI-N |
| BFR96S | 15 В | 0.1 A | 5.5 ГГц | 11 dB | SI-N |
| BFS17 | 15 В | 25 мA | 1 ГГц | SI-N | |
| BFS19 | 30 В | 30 мA | 260 МГц | SI-N | |
| BFS20 | 30 В | 25 мA | 450 МГц | SI-N | |
| BFS22A | 3 В | 0.75 A | 175 МГц | 4 Вт | SI-N |
| BFS23A | 36 В | 0.5 A | 500 МГц | 4.5 Вт | SI-N |
| BFT25 | 8 В | 6.5 мA | 500NHz | 50 мВт | SI-N |
| BFT43 | 125/100 В | 1 A | 0.8 Вт | SI-N | |
| BFT45 | 250 В | 0.5 A | 70 МГц | 0.75 Вт | SI-P |
| BFT66 | 15 В | 30 мA | 4.5 ГГц | 12 dB | SI-N |
| BFT79 | 90 В | 1 A | >100 МГц | 0.8 Вт | SI-P |
| BFT95 | 15 В | 25 мA | 3.6-5 ГГц | UHF | SI-P |
| BFV10 | 30 В | 20 мA | A мPL. | N-FET | |
| BFV11 | 30 В | 10 мA | A мPL. | N-FET | |
| BFV12 | 30 В | 5 мA | A мPL. | N-FET | |
| BFV16A | 25 В | 0.3 A | 1.2 ГГц | 1.5 Вт | SI-N |
| BFV17A | 25 В | 0.3 A | 1.1 ГГц | 1.5 Вт | SI-N |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRR АY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -D АRL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом