| BF980A | 18 В | 30 мA | UHF | N-FET-DG | |
| BF981 | 20 В | 20 мA | ВHF | N-FET-DG | |
| BF982 | 20 В | 40 мA | 200 МГц | N-FET-DG | |
| BF989 | 20 В | 30 мA | 0.2 Вт | N-FET | |
| BF990A | 18 В | 30 мA | 0.2 Вт | N-FET-DG | |
| BF991 | 20 В | 20 мA | UHF | N-FET-DG | |
| BF992 | 20 В | 40 мA | 0.2 Вт | N-FET | |
| BF994S | 20 В | 30 мA | 200 МГц | N-FET-DG | |
| BF996S | 20 В | 30 мA | 800 МГц | N-FET-DG | |
| BF998 | 12 В | 30 мA | 800 МГц | N-FET-DG | |
| BF999 | 20 В | 30 мA | 300 МГц | 0.2 Вт | N-FET |
| BFG135 | 25 В | 0.15 A | BIPOLAR | 1 Вт | SI-N |
| BFG198 | 20 В | 0.1 A | 8 ГГц | 1 Вт | SI-N |
| BFG65 | 10 В | 50 мA | 8 ГГц | 0.3 Вт | SI-N |
| BFG94 | 15 В | 60 мA | BIPOLA | 0.7 Вт | SI-N |
| BFG96 | 20 В | 75 мA | 800 МГц | 0.7 Вт | SI-N |
| BFG97 | 20 В | 0.1A | BIPOLA | 0.5 Вт | SI-N |
| BFQ10 | 30 В | 30 мA | 250 мВт | N-FET | |
| BFQ162 | 20 В | 0.5 A | 1 ГГц | 3 Вт | SI-N |
| BFQ232 | 100 В | 0.3 A | 1 ГГц | SI-N | |
| BFQ232A | 115 В | 0.3 A | 800 МГц | SI-N | |
| BFQ235A | 115 В | 0.3 A | 800 МГц | 3 Вт | SI-N |
| BFQ252 | 100 В | 0.3 A | 3 Вт | SI-P | |
| BFQ252A | 115 В | 0.3 A | 800 МГц | SI-P | |
| BFQ255 | 100 В | 0.3 A | 1 ГГц | 3 Вт | SI-P |
| BFQ255A | 115 В | 0.3 A | 800 МГц | 3 Вт | SI-P |
| BFQ262 | 100 В | 0.4A | 1 ГГц | 5 Вт | SI-P |
| BFQ262A | 115 В | 0.4A | 800 МГц | 5 Вт | SI-P |
| BFQ33C | 7 В | 20 мA | 12.5 ГГц | 0.14 Вт | SI-N |
| BFQ34 | 18 В | 0.15 A | 4 ГГц | 2.7 Вт | SI-N |
| BFQ43 | 18 В | 1.2 A | 175 МГц | 4 Вт | SI-N |
| BFQ65 | 10 В | 50 мA | 8 ГГц | 0.3 Вт | SI-N |
| BFQ68 | 18 В | 0.3 A | 4 ГГц | 4.5 Вт | SI-N |
| BFR29 | 30 В | 10 мA | Up<4 В | N-FET | |
| BFR35AP | 12 В | 30 мA | 4.9 ГГц | 14 dB | SI-N |
| BFR36 | 40 В | 200 мA | 1.3 ГГц | 0.8 Вт | SI-N |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRR АY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -D АRL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом