Основные характеристики импортных транзисторов BF980A — BFR36

BF980A 18 В 30 мA   UHF N-FET-DG
BF981 20 В 20 мA   ВHF N-FET-DG
BF982 20 В 40 мA 200 МГц   N-FET-DG
BF989 20 В 30 мA   0.2 Вт N-FET
BF990A 18 В 30 мA   0.2 Вт N-FET-DG
BF991 20 В 20 мA   UHF N-FET-DG
BF992 20 В 40 мA   0.2 Вт N-FET
BF994S 20 В 30 мA 200 МГц   N-FET-DG
BF996S 20 В 30 мA 800 МГц   N-FET-DG
BF998 12 В 30 мA 800 МГц   N-FET-DG
BF999 20 В 30 мA 300 МГц 0.2 Вт N-FET
BFG135 25 В 0.15 A BIPOLAR 1 Вт SI-N
BFG198 20 В 0.1 A 8 ГГц 1 Вт SI-N
BFG65 10 В 50 мA 8 ГГц 0.3 Вт SI-N
BFG94 15 В 60 мA BIPOLA 0.7 Вт SI-N
BFG96 20 В 75 мA 800 МГц 0.7 Вт SI-N
BFG97 20 В 0.1A BIPOLA 0.5 Вт SI-N
BFQ10 30 В 30 мA   250 мВт N-FET
BFQ162 20 В 0.5 A 1 ГГц 3 Вт SI-N
BFQ232 100 В 0.3 A 1 ГГц   SI-N
BFQ232A 115 В 0.3 A 800 МГц   SI-N
BFQ235A 115 В 0.3 A 800 МГц 3 Вт SI-N
BFQ252 100 В 0.3 A   3 Вт SI-P
BFQ252A 115 В 0.3 A 800 МГц   SI-P
BFQ255 100 В 0.3 A 1 ГГц 3 Вт SI-P
BFQ255A 115 В 0.3 A 800 МГц 3 Вт SI-P
BFQ262 100 В 0.4A 1 ГГц 5 Вт SI-P
BFQ262A 115 В 0.4A 800 МГц 5 Вт SI-P
BFQ33C 7 В 20 мA 12.5 ГГц 0.14 Вт SI-N
BFQ34 18 В 0.15 A 4 ГГц 2.7 Вт SI-N
BFQ43 18 В 1.2 A 175 МГц 4 Вт SI-N
BFQ65 10 В 50 мA 8 ГГц 0.3 Вт SI-N
BFQ68 18 В 0.3 A 4 ГГц 4.5 Вт SI-N
BFR29 30 В 10 мA Up<4 В   N-FET
BFR35AP 12 В 30 мA 4.9 ГГц 14 dB SI-N
BFR36 40 В 200 мA 1.3 ГГц 0.8 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика