Основные характеристики импортных транзисторов 2SK786 — 3SK74

2SK786 20 В 3 A 7E5 50 Вт N-FET
2SK787 900 В 8 A 120 Вт N-FET
2SK790 500 В 15 A 150 Вт N-FET
2SK791 850 В 3 A 4.5R 100 Вт N-FET
2SK792 900 В 3 A 4.5R 100 Вт N-FET
2SK793 850 В 5 A 2.5R 150 Вт N-FET
2SK794 900 В 5 A 2.5R 150 Вт N-FET
2SK796 800 В 3 A 5E 90 Вт N-FET
2SK806 600 В 3 A <2E7 50 Вт N-FET
2SK817 60 В 26 A 0.08E 35 Вт N-FET
2SK83 25 В 10 mA Up<2. 0.1 Вт N-FET
2SK851 200 В 30 A 150 Вт N-FET
2SK856 60 В 45 A <E03 125 Вт N-FET
2SK872 900 В 6 A 2.5E 150 Вт N-FET
2SK875 450 В 12 A 0.6E 120 Вт N-FET
2SK890 200 В 10 A <E4 75 Вт N-FET
2SK891 100 В 18 A <E18 125 Вт N-FET
2SK899 500 В 18 A <E33 125 Вт N-FET
2SK902 250 В 30 A 150 Вт N-FET
2SK903 800 В 3 A 4E 40 Вт N-FET
2SK904 800 В 3 A 4E 80 Вт N-FET
2SK940 60 В 0.8 A 1.1E 0.9 Вт N-FET
2SK943 60 В 25 A E046 40 Вт N-FET
2SK951 800 В 2.5 A 7E 40 Вт N-FET
2SK952 800 В 0.5 mA N-FET
2SK955 800 В 5 A 2E 125 Вт N-FET
2SK956 800 В 9 A 1E5 150 Вт N-FET
2SK962 900 В 0.5 mA Up>2.5 В N-FET
3SK131 20 В 25 mA 0.2 Вт N-FET-DG
3SK60 15 В 33 mA N-FET-DG
3SK73 20 В 3 mA N-FET-DG
3SK74 20 В 25 mA 0.2 Вт N-FET-DG
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика