Основные характеристики импортных транзисторов 2SK363 — 2SK769

Основные характеристики импортных транзисторов 2SK363 — 2SK769

2SK363 40 В 5 mA Up<1.2 В   N-FET
2SK364 40 В 2.6 mA Up<1.5 В   N-FET
2SK367 100 В 0.6 mA     N-FET
2SK369 40 В 5 mA Up<1.2 В   N-FET
2SK373 100 В 0.6 mA     N-FET
2SK374 55 В 1 mA Up<5 В   N-FET
2SK381 50 В 0.3 mA   0.3 Вт N-FET
2SK386 450 В 10 A   120 Вт N-FET
2SK389 50 В       2xN-FET
2SK40 50 В 6.5 mA     N-FET
2SK400 200 В 8 A 0E7 100 Вт N-FET
2SK404 20 В 1.2 mA   0.2 Вт N-FET
2SK415 800 В 3 A <6E 100 Вт N-FET
2SK423 100 В 0.5 A 25ns 0.9 Вт N-FET
2SK427 15 В 2.5 mA Up<1.5 В   N-FET
2SK430 150 В 3 A 0E8 20 Вт N-FET
2SK439 20 В 30 mA   0.3 Вт N-FET
2SK511 250 В 0.3 A   8 Вт N-FET
2SK513 800 В 3 A 50/120ns 60 Вт N-FET
2SK526 250 В 10 A 0.6R 40 Вт N-FET
2SK537 900 В 1 A   60 Вт N-FET
2SK538 900 В 3 A 4.5R 100 Вт N-FET
2SK544 20 В 30 mA   0.3 Вт N-FET
2SK55 18 В 14 mA ВHF   N-FET
2SK553 500 В 5 A 1E5 50 Вт N-FET
2SK555 500 В 7 A <E85 60 Вт N-FET
2SK557 500 В 12 A 0E6 100 Вт N-FET
2SK559 450 В 15 A 0E36 100 Вт N-FET
2SK583 50 В 0.2 A 20E 0.6 Вт N-FET
2SK606 30 В 20 mA Up<3 В   N-FET
2SK611 100 В 1 A 6E 10 Вт N-FET
2SK612 100 В 2 A   20 Вт N-FET
2SK68 50 В 0.5 mA Up<1.5 В   N-FET
2SK685 1000 В 5 A 2E 100 Вт N-FET
2SK701 60 В 2 A <E6 15 Вт N-FET
2SK703 100 В 5 A 0E5 35 Вт N-FET
2SK719 900 В 5 A   120 Вт N-FET
2SK725 500 В 15 A 0E38 125 Вт N-FET
2SK727 900 В 5 A 2E5 125 Вт N-FET
2SK73 200 В 0.1 A   5 Вт N-FET
2SK735 450 В 10 A <0E8 100 Вт N-FET
2SK754 160 В 10 A 0E22 50 Вт N-FET
2SK758 250 В 5 A OE7 40 Вт N-FET
2SK769 500 В 10 A 1E 100 Вт N-FET
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика