Основные характеристики импортных транзисторов AC121 — AD161

AC121 20 В 0.3A   0.9 Вт GE-P
AC122 30 В 0.2A   0.225 Вт GE-P
AC125 32 В 0.2A     GE-P
AC126 32 В 0.2A   0.5 Вт GE-P
AC127 32 В 0.5A     GE-N
AC128 32 В 1A   1 Вт GE-P
AC128/176K PAIRED, COOLED GE N/P
AC128K 32 В 1A   1 Вт GE-P
AC131 30 В 1A   0.75 Вт GE-P
AC132 32 В 0.2A   0.5 Вт GE-P
AC138 32 В 1.2A 1.5 МГц 0.22 Вт GE-P
AC141K 32 В 1.2A   1 Вт GE-N
AC151 32 В 0.2A   0.9 Вт GE-P
AC153 32 В 2A   1 Вт GE-P
AC153K 32 В 2A   1 Вт GE-P
AC176K 32 В 1A   1 Вт GE-N
AC180 32 В 1.5A 1 МГц 0.3 Вт GE-P
AC187 25 В 1A   1 Вт GE-N
AC187/188K PAIRED,COOLED GE N/P
AC187K 25 В 1A COOLED 1 Вт GE-N
AC188 25 В 1A   1 Вт GE-P
AC188K 25 В 1A   1 Вт GE-P
AD133 50 В 15A   36 Вт GE-P
AD136 40 В 10A   11 Вт GE-P
AD139 32 В 3.5A   13 Вт GE-P
AD148 32 В 3.5A   13.5 Вт GE-P
AD149 50 В 3.5A   27 Вт GE-P
AD161 32 В 1A   6 Вт GE-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика