Основные характеристики импортных транзисторов BSV80 — BTS121А

BSV80 40 В 10 мА 0.35 Вт N-FET
BSV81 30 В 50 мА 100E 0.2 Вт N-FET
BSW43 60 В 0.2 А B>180 0.3 Вт SI-N
BSW68A 150 В 2 А 130 МГц 5 Вт SI-N
BSW85 75 В 0.5 А 250 МГц 0.5 Вт SI-N
BSX20 40 В 0.5 А 7/18ns .36 Вт SI-N
BSX26 40 В 0.5 А 0.36 Вт SI-N
BSX29 12 В 0.2 А 25/35 0.36 Вт SI-P
BSX32 65 В 1 А 35/40ns 0.8 Вт SI-N
BSX47 120 В 1 А 5 Вт SI-N
BSX52 25 В 0.2 А B>180 0.3 Вт SI-N
BSX59 45 В 1 А 0.8 Вт SI-N
BSX88 40 В 0.5 А 0.36 Вт SI-N
BSY56 120 В 0.5 А 100 МГц 0.8 Вт SI-N
BTS121A 100 В 22 А 0.1E 95 Вт N-FET
  • GE-N — германиевыйN-p-n
  • SI-N — кремниевыйN-p-n
  • GE-P — германиевыйP-n-p
  • SI-P — кремниевыйP-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой сN-каналом
  • P-FET — полевой сP-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика