BSV80 | 40 В | 10 мА | 0.35 Вт | N-FET | |
BSV81 | 30 В | 50 мА | 100E | 0.2 Вт | N-FET |
BSW43 | 60 В | 0.2 А | B>180 | 0.3 Вт | SI-N |
BSW68A | 150 В | 2 А | 130 МГц | 5 Вт | SI-N |
BSW85 | 75 В | 0.5 А | 250 МГц | 0.5 Вт | SI-N |
BSX20 | 40 В | 0.5 А | 7/18ns | .36 Вт | SI-N |
BSX26 | 40 В | 0.5 А | 0.36 Вт | SI-N | |
BSX29 | 12 В | 0.2 А | 25/35 | 0.36 Вт | SI-P |
BSX32 | 65 В | 1 А | 35/40ns | 0.8 Вт | SI-N |
BSX47 | 120 В | 1 А | 5 Вт | SI-N | |
BSX52 | 25 В | 0.2 А | B>180 | 0.3 Вт | SI-N |
BSX59 | 45 В | 1 А | 0.8 Вт | SI-N | |
BSX88 | 40 В | 0.5 А | 0.36 Вт | SI-N | |
BSY56 | 120 В | 0.5 А | 100 МГц | 0.8 Вт | SI-N |
BTS121A | 100 В | 22 А | 0.1E | 95 Вт | N-FET |
- GE-N — германиевыйN-p-n
- SI-N — кремниевыйN-p-n
- GE-P — германиевыйP-n-p
- SI-P — кремниевыйP-n-p
- АRRАY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -DARL — составной
- N-FET — полевой сN-каналом
- P-FET — полевой сP-каналом