Основные характеристики импортных транзисторов 2SK1612 — 2SK359

2SK1612 900 В 3 A 40/140ns 50 Вт N-FET
2SK163 50 В 0.03 A   0.4 Вт N-FET
2SK1637 600 В 4 A <2E4 35 Вт N-FET
2SK1643 900 В 5 A 2.8E 125 Вт N-FET
2SK1653 60 В 45 A <E02 45 Вт N-FET
2SK168 30 В 20 mA FM- В/ 0.2 Вт N-FET
2SK170 40 В 20 mA   0.4 Вт N-FET
2SK1723 600 В 12 A <E65 150 Вт N-FET
2SK1833 500 В 2.5 A <4E 40 Вт N-FET
2SK184 50 В 0.6 mA Up<1.5 В   N-FET
2SK1917M 250 В 10 A <E4 50 Вт N-FET
2SK192 18 В Idss>3 mA Up<3 В   N-FET
2SK1924 600 В 6 A   1.75 Вт N-FET
2SK193 15 В   ВHF   N-FET-DG
2SK1940 600 В 12 A <E75 125 Вт N-FET
2SK1941 600 В 16 A <E55 100 Вт N-FET
2SK1943 900 В 5 A <2E8 80 Вт N-FET
2SK1953 600 В 2 A 5E 25 Вт N-FET
2SK2038 800 В 5 A 2E2 125 Вт N-FET
2SK2039 900 В 5 A <2E5 150 Вт N-FET
2SK2043 600 В 2 A 4E3 2 Вт N-FET
2SK2056 800 В 4 A 2.4E 40 Вт N-FET
2SK2078 800 В 9 A <1E2 150 Вт N-FET
2SK2083 900 В 5 A 3E6 70 Вт N-FET
2SK212 20 В 0.6 mA   0.2 Вт N-FET
2SK2134 200 В 13 A <E4 70 Вт N-FET
2SK2136 200 В 20 A <E18 75 Вт N-FET
2SK214 160 В 0.5 A   30 Вт N-FET
2SK2141 600 В 6 A 1.1E 35 Вт N-FET
2SK216 200 В 0.5 A   30 Вт N-FET
2SK2161 200 В 9 A 0.35E 25 Вт N-FET
2SK223 80 В 1.2 mA   0.4 Вт N-FET
2SK2333 700 В 6 A <2E 50 Вт N-FET
2SK2352 600 В 6 A <1E25 45 Вт N-FET
2SK240 40 В 2.6 mA Up<1.5 В   N-FET
2SK241 20 В   FM/ ВHF   N-FET
2SK246 50 В 1,2 mA Up<6 В   N-FET
2SK2485 900 В 6 A 2.8E 100 Вт N-FET
2SK2545 600 В 6 A 1.25E 40 Вт N-FET
2SK2561 600 В 9 A 1.2E 80 Вт N-FET
2SK2605 800 В 5 A 2.2E 45 Вт N-FET
2SK2632LS 800 В 2.5 A <4E8 30 Вт N-FET
2SK301 55 В 20 mA   0.25 Вт N-FET
2SK303 30 В 0.6 mA Up<4 В   N-FET
2SK304 30 В 0.6 mA Up<4 В   N-FET
2SK30ATM 50 В 6.5 mA     N-FET
2SK315 20 В 2.5 mA   0.2 Вт N-FET
2SK320 450 В 5 A <1E83 50 Вт N-FET
2SK33 20 В 20 mA   0.15 Вт N-FET
2SK330 50 В 14 mA 320R 0.2 Вт N-FET
2SK332 40 В 12 mA Up=0.5 В   N-FET
2SK357 150 В 5 A <E9 40 Вт N-FET
2SK359 20 В 30 mA   0.4 Вт N-FET
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.