Основные характеристики импортных транзисторов 2Sj103 — 2Sj79

2Sj103 50 В 2.6 mА Up<2V P-FET
2Sj109 30 В Id>2.6 mА P-FET DUАL
2Sj113 100 В 10 А OE35 100 Вт P-FET
2Sj117 400 В 2 А 35ns 40 Вт P-FET
2Sj162 160 В 7 А 1E 100 Вт P-FET
2Sj174 60 В 20 А 235ns 75 Вт P-FET
2Sj175 60 В 10 А OE25 25 Вт P-FET
2Sj177 60 В 20 А <0E085 75 Вт P-FET
2Sj182 60 В 3 А OE28 20 Вт P-FET
2Sj200 180 В 10 А 120 Вт P-FET
2Sj201 200 В 12 А 150 Вт P-FET
2Sj306 250 В 3 А <2E =3 25 Вт P-FET
2Sj307 250 В 6 А <1E 2 Вт P-FET
2Sj353 60 В 1.5 А <0E37 1 Вт P-FET
2Sj449 250 В <0E8 35 Вт P-FET
2Sj72 25 В 30 mА Up<2V 0.6 Вт P-FET
2Sj74 25 В 1 mА Up<2V P-FET
2Sj77 160 В 0.5 А 30 Вт P-FET
2Sj79 200 В 0.5 А 30 Вт P-FET
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DАRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика