| 2Sj103 | 50 В | 2.6 mА | Up<2V | P-FET | |
| 2Sj109 | 30 В | Id>2.6 mА | P-FET DUАL | ||
| 2Sj113 | 100 В | 10 А | OE35 | 100 Вт | P-FET |
| 2Sj117 | 400 В | 2 А | 35ns | 40 Вт | P-FET |
| 2Sj162 | 160 В | 7 А | 1E | 100 Вт | P-FET |
| 2Sj174 | 60 В | 20 А | 235ns | 75 Вт | P-FET |
| 2Sj175 | 60 В | 10 А | OE25 | 25 Вт | P-FET |
| 2Sj177 | 60 В | 20 А | <0E085 | 75 Вт | P-FET |
| 2Sj182 | 60 В | 3 А | OE28 | 20 Вт | P-FET |
| 2Sj200 | 180 В | 10 А | 120 Вт | P-FET | |
| 2Sj201 | 200 В | 12 А | 150 Вт | P-FET | |
| 2Sj306 | 250 В | 3 А | <2E =3 | 25 Вт | P-FET |
| 2Sj307 | 250 В | 6 А | <1E | 2 Вт | P-FET |
| 2Sj353 | 60 В | 1.5 А | <0E37 | 1 Вт | P-FET |
| 2Sj449 | 250 В | 6А | <0E8 | 35 Вт | P-FET |
| 2Sj72 | 25 В | 30 mА | Up<2V | 0.6 Вт | P-FET |
| 2Sj74 | 25 В | 1 mА | Up<2V | P-FET | |
| 2Sj77 | 160 В | 0.5 А | 30 Вт | P-FET | |
| 2Sj79 | 200 В | 0.5 А | 30 Вт | P-FET |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRRАY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -DАRL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом