Основные характеристики импортных транзисторов 2SC1775A — 2SC2168

2SC1775A SI-N 120V 0.05A 0.2W UNI
2SC1781 SI-N 50V 0.5A 0.35W
2SC1815 SI-N 50V 0.15A 0.4W 80MHz
2SC1815BL SI-N 60V 0.15A 0.4W B>350
2SC1815GR SI-N 60V 0.15A 0.4W B>200
2SC1815Y SI-N 60V 0.15A 0.4W B>120
2SC1827 SI-N 100V 4A 30W 10MHz
2SC1832 N-DARL 500V 15A 150W B>10
2SC1841 SI-N 120V 0.05A 0.5W
2SC1844 SI-N 60V 0.1A 0.5W 100MHz
2SC1845 SI-N 120V 0.05A 0.5W
2SC1846 SI-N 120V 0.05A 0.5W
2SC1847 SI-N 50V 1.5A 1.2W
2SC1855 SI-N 20V 20mA 0.25W 550MHz
2SC1871 SI-N 450V 15A 150W <1/3us
2SC1879 N-DARL+D 120V 2A 0.8W B>1
2SC1890 SI-N 90V 0.05A 0.3W 200MHz
2SC1895 SI-N 1500V 6A 50W 2MHz
2SC1906 SI-N 19V 0.05A 0.3W
2SC1907 SI-N 30V 0.05A 1100MHz
2SC1913 SI-N 150V 1A 15W 120MHz
2SC1914 SI-N 90V 50mA 0.2W 150MHz
2SC1921 SI-N 250V 0.05A 0.6W
2SC1922 SI-N 1500V 2.5A 50W
2SC1923 SI-N 30V 20mA 10mW 550MHz
2SC1929 SI-N 300V 0.4A 25W 80MHz
2SC1941 SI-N 160V 50mA 0.8W
2SC1944 SI-N 80V 6A PQ=16W
2SC1945 SI-N 80V 6A 20W
2SC1946A SI-N 35V 7A 50W
2SC1947 SI-N 35V 1A 4W 175MHz
2SC1953 SI-N 150V 0.05A 1.2W 70MHz
2SC1957 SI-N 40V 1A 1.8W 27MHz
2SC1959 SI-N 30V 0.5A 0.5W 200MHz
2SC1967 SI-N 35V 2A 8W 470MHz
2SC1968 SI-N 35V 5A 3W 470MHz
2SC1969 SI-N 60V 6A 20W
2SC1970 SI-N 40V 0.6A 5W
2SC1971 SI-N 35V 2A 12.5W
2SC1972 SI-N 35V 3.5A 25W
2SC1975 SI-N 120V 2A 3.8W 50MHz
2SC1980 SI-N 120V 20mA 0.25W 200MHz
2SC1984 SI-N 100V 3A 30W B=700
2SC1985 SI-N 80V 6A 40W 10MHz
2SC2023 SI-N 300V 2A 40W 10MHz
2SC2026 SI-N 30V 0.05A 0.25W
2SC2027 SI-N 1500/800V 5A 50W
2SC2036 SI-N 80V 1A PQ=1..4W
2SC2053 SI-N 40V 0.3A 0.6W 500MHz
2SC2055 SI-N 18V 0,3A 0,5W
2SC2058 SI-N 40V 0.05A 0.25W
2SC2060 SI-N 40V 0.7A 0.75W 150MHz
2SC2061 SI-N 80V 1A 0.75W 120MHz
2SC2068 SI-N 300V 0.05A 95MHz
2SC2073 SI-N 150V 1.5A 25W 4MHz
2SC2078 SI-N 80V 3A 10W 150MHz
2SC2086 SI-N 75V 1A 0.45W 27MHz
2SC2092 SI-N 75V 3A 5W 27MHz
2SC2094 SI-N 40V 3.5A PQ>15W 175MHz
2SC2097 SI-N 50V 15A PQ=85W
2SC2120 SI-N 30V 0.8A 0.6W 120MHz
2SC2122 SI-N 800V 10A 50W
2SC2166 SI-N 75V 4A 12.5W RFPOWER
2SC2168 SI-N 200V 2A 30W 10MHz
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.