Основные характеристики импортных транзисторов 2SA642 — 2SA995

22.01.2016

 

2SA642 30V 0.2A 200MHz 0.25W SI-P
2SA643 40V 0.5A 180MHz 0.5W SI-P
2SA653 150V 1A 5MHz 15W SI-P
2SA684 60V 1A 200MHz 1W SI-P
2SA699 40V 2A 150MHz 10W SI-P
2SA708A 100V 0.7A 50MHz 0.8W SI-P
2SA720 60V 0.5A 200MHz 0.6W SI-P
2SA725 35V 0.1A 100MHz 0.15W SI-P
2SA733 60V 0.15A 50MHz 0.25W SI-P
2SA738 25V 1.5A 160MHz 8W SI-P
2SA747 120V 10A 15MHz 100W SI-P
2SA756 100V 6A 20MHz 50W SI-P
2SA762 110V 2A 80MHz 23W SI-P
2SA765 80V 6A 10MHz 40W SI-P
2SA768 60V 4A 10MHz 30W SI-P
2SA769 80V 4A 10MHz 30W SI-P
2SA770 60V 6A 10MHz 40W SI-P
2SA771 80V 6A 2MHz 40W SI-P
2SA777 80V 0.5A 120MHz 0.75W SI-P
2SA778A 180V 0.05A 60MHz 0.2W SI-P
2SA781 20V 0.2A <80/16 0.2W SI-P
2SA794 100V 0.5A 120MHz 5W SI-P
2SA794A 120V 0.5A 5W 120MHz SI-P
2SA812 50V 0.1A 0.15W SI-P
2SA814 120V 1A 30MHz 15W SI-P
2SA816 80V 0.75A 100MHz 1.5W SI-P
2SA817 80V 0.3A 100MHz 0.6W SI-P
2SA817A 80V 0.4A 100MHz 0.8W SI-P
2SA836 55V 0.1A 100MHz 0.2W SI-P
2SA838 30V 30mA 300MHz 0.25W SI-P
2SA839 150V 1.5A 6MHz 25W SI-P
2SA841 60V 0.05A 140MHz 0.2W SI-P
2SA858 150V 50mA 100MHz 0.5W SI-P
2SA872 90V 0.05A 120MHz 0.2W SI-P
2SA872A 120V 50mA 120MHz 0.3W SI-P
2SA884 65V 0.2A 140MHz 0.27W SI-P
2SA885 45V 1A 200MHz 5W SI-P
2SA886 50V 1.5A 1.2W SI-P
2SA893 90V 50mA 0.3W SI-P
2SA900 18V 1A 1.2W SI-P
2SA914 150V 0.05A 200MHz SI-P
2SA915 120V 0.05A 80MHz 0.8W SI-P
2SA916 160V 0.05A 80MHz 1W SI-P
2SA921 120V 20mA 200MHz 0.25W SI-P
2SA933 50V 0.1A 0.3W SI-P
2SA934 40V 0.7A 0.75W SI-P
2SA935 80V 0.7A 150MHz 0.75W SI-P
2SA937 50V 0.1A 140MHz 0.3W SI-P
2SA940 150V 1.5A 4MHz 25W SI-P
2SA941 120V 0.05A 150MHz 0.3W SI-P
2SA949 150V 50mA 120MHz 0.8W SI-P
2SA965 120V 0.8A 120MHz 0.9W SI-P
2SA966 30V 1.5A 120MHz 0.9W SI-P
2SA968 160V 1.5A 100MHz 25W SI-P
2SA970 120V 0.1A 100MHz SI-P
2SA982 140V 8A 20MHz 80W SI-P
2SA984 60V 0.5A 120MHz 0.5W SI-P
2SA985 120V 1.5A 180MHz 25W SI-P
2SA988 120V 0.05A 0.5W SI-P
2SA991 60V 0.1A 90MHz 0.5W SI-P
2SA992 100V 0.05A 0.2W SI-P
2SA995 100V 0.05A 100MHz 0.4W SI-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.