Основные характеристики импортных транзисторов 2N109 — 2N4287

2N109 35 В 0.15 А 0.165 Вт GE-P
2N1305 30 В 0.3 А 5 MHz 0.15 Вт GE-P
2N1613 75 В 1 А 60 MHz 0.8 Вт SI-N
2N1893 120 В 0.5 А 0.8 Вт SI-N
2N2148 60 В 12.5 Вт GE-P
2N2166 15 В 50 mА 10 MHz 0.15 Вт SI-P
2N2222A 40 В 0.8 А 300 MHz 0.5 Вт SI-N
2N2223A 100 В 0.5 А >50 MHz 0.6 Вт 2xSI-N
2N2369A 40 В 0.2 А 12/18ns 0.36 Вт SI-N
2N2894 12 В 0.2 А 60/90ns 1.2 Вт SI-P
2N2906A 60 В 0.6 А 45/100ns 0.4 Вт SI-P
2N2917 45 В 0.03 А >60Mz SI-N
2N2955 40 В 0.1 А 200 MHz 0.15 Вт GE-P
2N3053 60 В 0.7 А 100 MHz 5 Вт SI-N
2N3055 100 В 15 А 800 kHz 115 Вт SI-N
2N3055H 100 В 15 А 800 kHz 115 Вт SI-N
2N3375 40 В 0.5 А 500 MHz 11.6 Вт SI-N
2N3440 300 В 1 А 15 MHz 10 Вт SI-N
2N3442 160 В 10 А 0.8 MHz 117 Вт SI-N
2N3502 45 В 0.6 А 200 MHz 0.7 Вт SI-P
2N3571 30 В 0.05 А 1.4 GHz 0.2 Вт SI-N
2N3632 40 В 0.25 А 400 MHz 23 Вт SI-N
2N3700 140 В 1 А 200 MHz 0.5 Вт SI-N
2N3708 30 В 0.03 А 80 MHz 0.36 Вт SI-N
2N3725 80 В 0.5 А 35/60 ns 1 Вт SI-N
2N3741 80 В 4 А >4 MHz 25 Вт SI-N
2N3767 100 В 4 А >10 MHz 20 Вт SI-N
2N3772 100 В 20 А 150 Вт SI-N
2N3792 80 В 10 А 4 MHz 150 Вт SI-P
2N3820 20 В 15 mА 0.36 Вт P-FET
2N3824 50 В 10 mА 0.3 Вт N-FET
2N3904 60 В 0.2 А 300 MHz 0.35 Вт SI-N
2N3909 20 В 10 mА 0.3 Вт P-FET
2N3963 80 В 0.2 А >40 MHz 0.36 Вт SI-P
2N4001 100 В 1 А 40 MHz 15 Вт SI-N
2N4036 90 В 1 А 60 MHz 1 Вт SI-P
2N4126 25 В 200 mА SI-P
2N4236 80 В 3 А >3 MHz 1 Вт SI-P
2N428 30 В 0.4 А 0.15 Вт GE-P
2N4287 45 В 0.1 А 40 MHz 0.25 Вт SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARR АY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -D АRL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.
Радиолюбитель-конструктор © 2015-2017


Яндекс.Метрика