Основные характеристики импортных транзисторов BUV48AF — BUX66

25.06.2017

 

BUV48AF 1000 В 15A 65 Вт SI-N
BUV48C 1200/700 В 15A 150 Вт SI-N
BUV48CF 1200 В 15A 65 Вт SI-N
BUV50 250 В 25A 150 Вт SI-N
BUV56A 1000 В 10A 70 Вт SI-N
BUV61 300 В 50A 250 Вт SI-N
BUV70 1300/550 В 10A 140 Вт SI-N
BUV90 650 В 10A 125 Вт N-DARL+D
BUV93 600/350 В 2A 12 МГц 15 Вт SI-N
BUV98A 1000 В 30A 5 МГц 150 Вт SI-N
BUW11A 1000 В 5A 0.8us 100 Вт SI-N
BUW11AF 1000 В 5A 0.8us 32 Вт SI-N
BUW12 850 В 8A 0.8us 125 Вт SI-N
BUW12A 1000 В 8A 0.8us 125 Вт SI-N
BUW12F 850 В 8A 0.8us 34 Вт SI-N
BUW13 850 В 15A 0.8us 175 Вт SI-N
BUW13A 1000 В 15A 0.8us 175 Вт SI-N
BUW23 450 В 10A <300NS 125 Вт SI-P
BUW26 800 В 10A 20 МГц 125 Вт SI-N
BUW42 400 В 15A 150 Вт SI-P
BUW48 120 В 30A 1.5us 150 Вт SI-N
BUW49 160 В 30A 150 Вт SI-N
BUW50 250 В 25A TO-218 150 Вт SI-N
BUW72 450 В 10A 100 Вт SI-N
BUW81A 800 В 10A 80 Вт N-DARL
BUW84 800 В 2A 0.4us 50 Вт SI-N
BUWт85 1000 В 2A 0.4us 50 Вт SI-N
BUX10 160 В 25A 1.5us 150 Вт SI-N
BUX12 300 В 20A 150 Вт SI-N
BUX13 400 В 15A >8 МГц 150 Вт SI-N
BUX20 160 В 50A 1.5us 350 Вт SI-N
BUX22 300 В 40A POVSVI 250 Вт SI-N
BUX23 400/325 В 30A 350 Вт SI-N
BUX24 450/400 В 20A >8 350 Вт SI-N
BUX32B 1000 В 8A 150 Вт SI-N
BUX37 400 В 15A 35 Вт N-DARL
BUX39 120/90 В 30A 8 МГц 120 Вт SI-N
BUX40 160 В 20A 1.2us 120 Вт SI-N
BUX41 250 В 15A 120 Вт SI-N
BUX41N 220/160 В 18A 120 Вт SI-N
BUX42 300 В 12A 120 Вт SI-N
BUX48A 1000 В 15A 0.8us 175 Вт SI-N
BUX51 300/200 В 3.5A >8 10 Вт SI-N
BUX54 450 В 2A >8 МГц 10 Вт SI-N
BUX55 450 В 2A 8 МГц 10 Вт SI-N
BUX66 200/150 В 2A >20 МГц 35 Вт SI-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.