Основные характеристики импортных транзисторов BUX77 — BUZ215А

Основные характеристики импортных транзисторов BUX77 — BUZ215

BUX77	100 В	5 A	>2.5 MHz	40 Вт	SI-N
BUX80	800 В	10 A		100 Вт	SI-N
BUX81	1000 В	10 A		100 Вт	SI-N
BUX82	800 В	6 A		60 Вт	SI-N
BUX84	800 В	2A	0.4us	40 Вт	SI-N
BUX85	1000 В	2 A	0.4us	40 Вт	SI-N
BUX85F	1000 В	2 A	0.4us	18 Вт	SI-N
BUX86P	800 В	0.5 A	0.4us	20 Вт	SI-N
BUX87	1000 В	0.5 A	0.4us	20 Вт	SI-N
BUX87P	1000 В	0.5 A	0.4us	20 Вт	SI-N
BUX88	1500 В	12 A	7 MHz	160 Вт	SI-N
BUX98A	450 В	30 A		250 Вт	SI-N
BUX98C	1200 В	30 A	5 MHz	250 Вт	SI-N
BUY18S	80/40 В	10 A		20 Вт	SI-N
BUY47	150/120 В	7 A	90 MHz	10 Вт	SI-N
BUY49P	250 В	3 A		10 Вт	SI-N
BUY49S	250 В	3 A	50 MHz	10 Вт	SI-N
BUY69A	1000 В	10 A	1us	100 Вт	SI-N
BUY70A	1000/400 В	10 A		75 Вт	SI-N
BUY71	2200 В	2 A	HORDEFL	40 Вт	SI-N
BUY72	280/200 В	10 A		60 Вт	SI-N
BUY89	1500 В	6 A		80 Вт	SI-N
BUZ10	50 В	20 A	0.08R	80 Вт	N-FET
BUZ100	50 В	60 A	0.18E	250 Вт	N-FET
BUZ11	50 В	36 A			N-FET
BUZ11A	50 В	27 A	0.055R	90 Вт	N-FET
BUZ14	50 В	39 A		125 Вт	N-FET
BUZ15	50 В	45 A		125 Вт	N-FET
BUZ171	50 В	8 A	0.3R	40 Вт	P-FET
BUZ21	100 В	21 A			N-FET
BUZ215	500 В	5 A	<1E5	75 Вт	N-FET

• GE-N — германиевый n-p-n
• SI-N — кремниевый n-p-n
• GE-P — германиевый n-n-p
• SI-P — кремниевый p-n-p
• АRRАY — транзисторная матрица
• +D — с диодом
• -DARL — составной
• N-FET — полевой с N-каналом
• P-FET — полевой с P-каналом