Основные характеристики импортных транзисторов BUX77 — BUZ215
| BUX77 | 100 В | 5 A | >2.5 MHz | 40 Вт | SI-N |
| BUX80 | 800 В | 10 A | 100 Вт | SI-N | |
| BUX81 | 1000 В | 10 A | 100 Вт | SI-N | |
| BUX82 | 800 В | 6 A | 60 Вт | SI-N | |
| BUX84 | 800 В | 2A | 0.4us | 40 Вт | SI-N |
| BUX85 | 1000 В | 2 A | 0.4us | 40 Вт | SI-N |
| BUX85F | 1000 В | 2 A | 0.4us | 18 Вт | SI-N |
| BUX86P | 800 В | 0.5 A | 0.4us | 20 Вт | SI-N |
| BUX87 | 1000 В | 0.5 A | 0.4us | 20 Вт | SI-N |
| BUX87P | 1000 В | 0.5 A | 0.4us | 20 Вт | SI-N |
| BUX88 | 1500 В | 12 A | 7 MHz | 160 Вт | SI-N |
| BUX98A | 450 В | 30 A | 250 Вт | SI-N | |
| BUX98C | 1200 В | 30 A | 5 MHz | 250 Вт | SI-N |
| BUY18S | 80/40 В | 10 A | 20 Вт | SI-N | |
| BUY47 | 150/120 В | 7 A | 90 MHz | 10 Вт | SI-N |
| BUY49P | 250 В | 3 A | 10 Вт | SI-N | |
| BUY49S | 250 В | 3 A | 50 MHz | 10 Вт | SI-N |
| BUY69A | 1000 В | 10 A | 1us | 100 Вт | SI-N |
| BUY70A | 1000/400 В | 10 A | 75 Вт | SI-N | |
| BUY71 | 2200 В | 2 A | HORDEFL | 40 Вт | SI-N |
| BUY72 | 280/200 В | 10 A | 60 Вт | SI-N | |
| BUY89 | 1500 В | 6 A | 80 Вт | SI-N | |
| BUZ10 | 50 В | 20 A | 0.08R | 80 Вт | N-FET |
| BUZ100 | 50 В | 60 A | 0.18E | 250 Вт | N-FET |
| BUZ11 | 50 В | 36 A | N-FET | ||
| BUZ11A | 50 В | 27 A | 0.055R | 90 Вт | N-FET |
| BUZ14 | 50 В | 39 A | 125 Вт | N-FET | |
| BUZ15 | 50 В | 45 A | 125 Вт | N-FET | |
| BUZ171 | 50 В | 8 A | 0.3R | 40 Вт | P-FET |
| BUZ21 | 100 В | 21 A | N-FET | ||
| BUZ215 | 500 В | 5 A | <1E5 | 75 Вт | N-FET |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый n-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRRАY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -DARL — составной
- N-FET — полевой с N-каналом
- P-FET — полевой с P-каналом