Основные характеристики импортных транзисторов P6N60 — STA471A

02.11.2017
P6N60 600 В 6 А 1E8 125 Вт N-FET
PH2222A 75 В 0.8 А PLASTI 0.5 Вт SI-N
PH2369 15 В 0.5 А 12/18ns 0.5 Вт SI-N
PN2222A 75 В 0.8 А PLASTI 0.5 Вт SI-N
PN2907 40 В 0.6 А PLASTI 0.4 Вт SI-P
PN2907A 60 В 0.6 А PLASTI 0.4 Вт SI-P
PN3563 30 В 50 мА 600 МГц 0.2 Вт SI-N
PN3638 25 В 0.5 А 100 МГц 0.625 Вт SI-P
R1004 50 В 0.1 А 47K/47K   SI-N
RFP40N10 100 В 40 А 0.04E 160 Вт N-FET
S175 RF PWR AMP TRANSIST0R
S1854 112.5/117.5 В DRIVER STAGE
S2000AF 1500 В 8 А 0.7us 50 Вт SI-N
S2000N 1500 В 8 А 0.7us 50 Вт SI-N
S2055N 1500 В 8 А 0.3us 50 Вт SI-N+D
S2530A 1000 В 10 А   100 Вт SI-N
SGSF313 450 В 7 А 0.3us 70 Вт SI-N
SGSF313XI 1000 В 5 А 0.3us 25 Вт SI-N
SGSF344 600 В 7 А   85 Вт SI-N
SGSF445 600 В 7 А   95 Вт SI-N
SGSF464 600 В 10 А   140 Вт SI-N
SGSIF344 600 В 7 А   35 Вт SI-N
SGSIF444 600 В 7 А   55 Вт SI-N
SLA4061 120 В 5 А POVER 25 Вт N-DARL
SLA4390 DARLINGTON ARRAY
SS8050 40 В 1.5 А 100 МГц 1 Вт SI-N
SS8550 40 В 1.5 А 100 МГц 1 Вт SI-P
SSM2210P 40 В 20 мА 200 МГц 0.5 Вт 2xSI-N
SSM2220P 36 В 20 мА 190 МГц 0.5 Вт 2xSI-P
STA301A 3×60 В 4 А B>1K   N-ARRAY
STA341M 30 В 1 А B>100   P/N-ARRAY
STA401A 4×60 В 4 А B>1K   N-ARRAY
STA402A 4×50 В 4 А B>1K   P-ARRAY
STA403A 4×100 В 4 А B>1K   N-ARRAY
STA434A 2*60 В 4 А B> 20 Вт P/N-ARRAY
STA441C 4×160 В 1.5 А B>40   N-ARRAY
STA451C 2×60 В 3 А B>40   P/N-ARRAY
STA471A 4×60 В 2 А B>2K   N-ARRAY
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • D — с диодом
  • DARL — составной
  • N-FET — полевой с N-каналом
  • P-FET — полевой с P-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.