• Основные характеристики импортных транзисторов BDX16A — BDY90

    26.01.2017

     

    BDX16A 140 В 3 А 800 кГц 25 Вт SI-P
    BDX20 160 В 10 А >4 МГц 117 Вт SI-P
    BDX32 1700 В 4 А 40 Вт SI-N
    BDX33C 100 В 10 А 70 Вт N-D АRL
    BDX34C 100 В 10 А 70 Вт P-D АRL
    BDX37 80 В 5 А 350ns 15 Вт SI-N
    BDX44 90 В 1 А 1.5us 5 Вт N-D АRL+D
    BDX47 90 В 1 А 5 Вт P-D АRL
    BDX50 160 В 16 А >800 кГц 150 Вт SI-N
    BDX53C 100 В 6 А B=500 60 Вт N-D АRL
    BDX53F 160 В 6 А B=500 60 Вт N-D АRL
    BDX54C 100 В 6 А B=500 60 Вт P-D АRL
    BDX54F 160 В 6 А B=500 60 Вт P-D АRL
    BDX62C 120 В 8 А 90 Вт P-D АRL
    BDX63C 140 В 8 А 90 Вт N-D АRL
    BDX64C 120 В 12 А B>1K 117 Вт P-D АRL
    BDX65C 120 В 12 А 117 Вт N-D АRL
    BDX66C 120 В 16 А 150 Вт P-D АRL
    BDX66C 120 В 16 А 150 Вт P-D АRL
    BDX67C 120 В 16 А 150 Вт N-D АRL
    BDX71 70 В 10 А >0.8 МГц 75 Вт SI-N
    BDX75 45 В 16 А >0.8 МГц 75 Вт SI-N
    BDX77 100 В 8 А >7 МГц 60 Вт SI-N
    BDX87C 100 В 12 А 120 Вт N-D АRL
    BDX88C 100 В 12 А 120 Вт P-D АRL
    BDX94 80 В 8 А >4 МГц 90 Вт SI-P
    BDX95 100 В 8 А >4 МГц 90 Вт SI-N
    BDX96 100 В 8 А >4 МГц 90 Вт SI-P
    BDY20 100 В 15 А 1 МГц 117 Вт SI-N
    BDY29 100 В 30 А PO ВтER 220 Вт SI-N
    BDY56 180 В 15 А >10 МГц 115 Вт SI-N
    BDY58 160 В 25 А 175 Вт SI-N
    BDY73 100 В 15 А >8 кГц 115 Вт SI-N
    BDY83B 50 В 4 А 3 МГц 36 Вт SI-P
    BDY90 120 В 10 А 0.35us 60 Вт SI-N
    • GE-N — германиевый n-p-n
    • SI-N — кремниевый n-p-n
    • GE-P — германиевый p-n-p
    • SI-P — кремниевый p-n-p
    • АRR АY — транзисторная матрица
    • +D — с диодом
    • -D АRL — составной
    • N-FET — полевой с n-каналом
    • P-FET — полевой с p-каналом
    Метки: , ,

    Рекомендуемый контент

    Радиолюбитель-конструктор © 2023
    При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.