| 2SK786 | 20 В | 3 A | 7E5 | 50 Вт | N-FET |
| 2SK787 | 900 В | 8 A | 120 Вт | N-FET | |
| 2SK790 | 500 В | 15 A | 150 Вт | N-FET | |
| 2SK791 | 850 В | 3 A | 4.5R | 100 Вт | N-FET |
| 2SK792 | 900 В | 3 A | 4.5R | 100 Вт | N-FET |
| 2SK793 | 850 В | 5 A | 2.5R | 150 Вт | N-FET |
| 2SK794 | 900 В | 5 A | 2.5R | 150 Вт | N-FET |
| 2SK796 | 800 В | 3 A | 5E | 90 Вт | N-FET |
| 2SK806 | 600 В | 3 A | <2E7 | 50 Вт | N-FET |
| 2SK817 | 60 В | 26 A | 0.08E | 35 Вт | N-FET |
| 2SK83 | 25 В | 10 mA | Up<2. | 0.1 Вт | N-FET |
| 2SK851 | 200 В | 30 A | 150 Вт | N-FET | |
| 2SK856 | 60 В | 45 A | <E03 | 125 Вт | N-FET |
| 2SK872 | 900 В | 6 A | 2.5E | 150 Вт | N-FET |
| 2SK875 | 450 В | 12 A | 0.6E | 120 Вт | N-FET |
| 2SK890 | 200 В | 10 A | <E4 | 75 Вт | N-FET |
| 2SK891 | 100 В | 18 A | <E18 | 125 Вт | N-FET |
| 2SK899 | 500 В | 18 A | <E33 | 125 Вт | N-FET |
| 2SK902 | 250 В | 30 A | 150 Вт | N-FET | |
| 2SK903 | 800 В | 3 A | 4E | 40 Вт | N-FET |
| 2SK904 | 800 В | 3 A | 4E | 80 Вт | N-FET |
| 2SK940 | 60 В | 0.8 A | 1.1E | 0.9 Вт | N-FET |
| 2SK943 | 60 В | 25 A | E046 | 40 Вт | N-FET |
| 2SK951 | 800 В | 2.5 A | 7E | 40 Вт | N-FET |
| 2SK952 | 800 В | 0.5 mA | N-FET | ||
| 2SK955 | 800 В | 5 A | 2E | 125 Вт | N-FET |
| 2SK956 | 800 В | 9 A | 1E5 | 150 Вт | N-FET |
| 2SK962 | 900 В | 0.5 mA | Up>2.5 В | N-FET | |
| 3SK131 | 20 В | 25 mA | 0.2 Вт | N-FET-DG | |
| 3SK60 | 15 В | 33 mA | N-FET-DG | ||
| 3SK73 | 20 В | 3 mA | N-FET-DG | ||
| 3SK74 | 20 В | 25 mA | 0.2 Вт | N-FET-DG |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- ARRAY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -DARL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом