Основные характеристики импортных транзисторов 2SK363 — 2SK769

Основные характеристики импортных транзисторов 2SK363 — 2SK769

2SK363	40 В	5 mA	Up<1.2 В		N-FET
2SK364	40 В	2.6 mA	Up<1.5 В		N-FET
2SK367	100 В	0.6 mA			N-FET
2SK369	40 В	5 mA	Up<1.2 В		N-FET
2SK373	100 В	0.6 mA			N-FET
2SK374	55 В	1 mA	Up<5 В		N-FET
2SK381	50 В	0.3 mA		0.3 Вт	N-FET
2SK386	450 В	10 A		120 Вт	N-FET
2SK389	50 В				2xN-FET
2SK40	50 В	6.5 mA			N-FET
2SK400	200 В	8 A	0E7	100 Вт	N-FET
2SK404	20 В	1.2 mA		0.2 Вт	N-FET
2SK415	800 В	3 A	<6E	100 Вт	N-FET
2SK423	100 В	0.5 A	25ns	0.9 Вт	N-FET
2SK427	15 В	2.5 mA	Up<1.5 В		N-FET
2SK430	150 В	3 A	0E8	20 Вт	N-FET
2SK439	20 В	30 mA		0.3 Вт	N-FET
2SK511	250 В	0.3 A		8 Вт	N-FET
2SK513	800 В	3 A	50/120ns	60 Вт	N-FET
2SK526	250 В	10 A	0.6R	40 Вт	N-FET
2SK537	900 В	1 A		60 Вт	N-FET
2SK538	900 В	3 A	4.5R	100 Вт	N-FET
2SK544	20 В	30 mA		0.3 Вт	N-FET
2SK55	18 В	14 mA	ВHF		N-FET
2SK553	500 В	5 A	1E5	50 Вт	N-FET
2SK555	500 В	7 A	<E85	60 Вт	N-FET
2SK557	500 В	12 A	0E6	100 Вт	N-FET
2SK559	450 В	15 A	0E36	100 Вт	N-FET
2SK583	50 В	0.2 A	20E	0.6 Вт	N-FET
2SK606	30 В	20 mA	Up<3 В		N-FET
2SK611	100 В	1 A	6E	10 Вт	N-FET
2SK612	100 В	2 A		20 Вт	N-FET
2SK68	50 В	0.5 mA	Up<1.5 В		N-FET
2SK685	1000 В	5 A	2E	100 Вт	N-FET
2SK701	60 В	2 A	<E6	15 Вт	N-FET
2SK703	100 В	5 A	0E5	35 Вт	N-FET
2SK719	900 В	5 A		120 Вт	N-FET
2SK725	500 В	15 A	0E38	125 Вт	N-FET
2SK727	900 В	5 A	2E5	125 Вт	N-FET
2SK73	200 В	0.1 A		5 Вт	N-FET
2SK735	450 В	10 A	<0E8	100 Вт	N-FET
2SK754	160 В	10 A	0E22	50 Вт	N-FET
2SK758	250 В	5 A	OE7	40 Вт	N-FET
2SK769	500 В	10 A	1E	100 Вт	N-FET

• GE-N — германиевый n-p-n
• SI-N — кремниевый n-p-n
• GE-P — германиевый p-n-p
• SI-P — кремниевый p-n-p
• ARRAY — транзисторная матрица
• +D — с диодом
• -DARL — составной
• N-FET — полевой с n-каналом
• P-FET — полевой с p-каналом