2N1304 | 25 В | 0.3 A | 10 MHz | 0.15 Вт | GE-N |
2N1307 | 30 В | 0.3 A | B>60 | 0.15 Вт | GE-P |
2N1711 | 75 В | 1 A | 70 MHz | 0.8 Вт | SI-N |
2N2102 | 120 В | 1 A | <120 MHz | 1 Вт | SI-N |
2N2165 | 30 В | 50 mA | 18 MHz | 0.15 Вт | SI-P |
2N2219A | 40 В | 0.8 A | 250 MHz | 0.8 Вт | SI-N |
2N2223 | 100 В | 0.5 A | >50 | 0.6 Вт | 2xSI-N |
2N2243A | 120 В | 1 A | 50 MHz | 0.8 Вт | SI-N |
2N2857 | 30 В | 40 mA | >1 GHz | 0.2 Вт | SI-N |
2N2905A | 60 В | 0.6 A | 45/100 | 0.6 Вт | SI-P |
2N2907A | 60 В | 0.6 A | 45/100 | 0.4 Вт | SI-P |
2N2926 | 25 В | 0.1 A | 300 MHz | 0.2 Вт | SI-N |
2N3019 | 140 В | 1 A | 100 MHz | 0.8 Вт | SI-N |
2N3054 | 90 В | 4 A | 3 MHz | 25 Вт | SI-N |
2N3055 | 100 В | 15 A | 800 kHz | 115 Вт | SI-N |
2N3251 | 50 В | 0.2 A | 0.36 Вт | SI-P | |
2N3439 | 450 В | 1 A | 15 MHz | 10 Вт | SI-N |
2N3441 | 160 В | 3 A | POWER | 25 Вт | SI-N |
2N3495 | 120 В | 0.1 A | >150 MHz | 0.6 Вт | SI-P |
2N3553 | 65 В | 0.35 A | 500 MHz | 7 Вт | SI-N |
2N3583 | 250/175 В | 2 A | >10 MHz | 35 Вт | SI-N |
2N3646 | 40 В | 0.2 A | 0.2 Вт | SI-N | |
2N3707 | 30 В | 0.03 A | 100 MHz | 0.36 Вт | SI-N |
2N3716 | 100 В | 10 A | 4 MHz | 150 Вт | SI-N |
2N3740 | 60 В | 4 A | >4 MHz | 25 Вт | SI-P |
2N3742 | 300 В | 0.05 A | >30 MHz | 1 Вт | SI-N |
2N3771 | 50 В | 30 A | POWER | 150 Вт | SI-N |
2N3773 | 160 В | 16 A | POWER | 150 Вт | SI-N |
2N3819 | 25 В | 20 mA | 0.36 Вт | N-FET | |
2N3821 | 50 В | 2.5 mA | 0.3 Вт | N-FET | |
2N3866 | 55 В | 0.4 A | 175 MHz | 1 Вт | SI-N |
2N3906 | 40 В | 0.2 A | 250 MHz | .35 Вт | SI-P |
2N3958 | 50 В | 5 mA | 0.25 Вт | N-FET | |
2N3972 | 40 В | 50 mA | 1.8 Вт | N-FET | |
2N4033 | 80 В | 1 A | 150 MHz | 0.8 Вт | SI-P |
2N409 | 13 В | 15 mA | 6.8 MHz | 80 мВт | GE-P |
2N4220 | 30 В | 0.2 A | N-FET | ||
2N427 | 30 В | 0.4 A | B>40 | 0.15 Вт | GE-P |
2N4286 | 30 В | 0.05 A | 0.25 Вт | SI-N | |
2N4291 | 40 В | 0.2 A | 150 MHz | 0.25 Вт | SI-P |
2N4347 | 140 В | 5 A | 0.8 MHz | 100 Вт | SI-N |
2N4351 | 30 В | 30 mA | 140 kHz | 0.3 Вт | N-FET |
2N4392 | 40 В | 25 mA | Up<5 В | 60E | N-FET |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- ARRAY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -DARL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом