2N4302 | 30 В | 0.5 mА | 0.3 Вт | N-FET | |
2N4348 | 140 В | 10 А | >0.2 MHz | 120 Вт | SI-N |
2N4391 | 40 В | 50 mА | Up<10 В | 30E | N-FET |
2N4393 | 40 В | 5 mА | Up<3 В | 100E | N-FET |
2N4403 | 40 В | 0.6 А | 200 MHz | SI-P | |
2N4420 | 40 В | 0.2 А | 0.36 Вт | SI-N | |
2N4906 | 80 В | 5 А | >4 MHz | 87.5 Вт | SI-P |
2N4923 | 80 В | 1 А | 30 Вт | SI-N | |
2N5090 | 55 В | 0.4 А | 4 Вт | SI-N | |
2N5116 | 30 В | 5 mА | Up<4 В | 150E | P-FET |
2N5179 | 20 В | 50 mА | >1 GHz | 0.2 Вт | SI-N |
2N5240 | 375 В | 5 А | >2 MHz | 100 Вт | SI-N |
2N5308 | 40 В | 0.3 А | B>7K | 0.4 Вт | N-D АRL |
2N5322 | 100 В | 2 А | АFS ВтITCH | 10 Вт | SI-P |
2N5416 | 350 В | 1 А | 15 MHz | 10 Вт | SI-P |
2N5457 | 25 В | 1 mА | Up<6 В | N-FET | |
2N5460 | 40 В | 5 mА | GEN.P | Up<6 В | P-FET |
2N5462 | 40 В | 16 mА | GEN. | Up<9 В | P-FET |
2N5485 | 25 В | 4m А | Up<4 В | P-FET | |
2N5589 | 36 В | 0.6 А | 175 MHz | 3 Вт | SI-N |
2N5672 | 150 В | 30 А | 0.5us | 140 Вт | SI-N |
2N5682 | 120 В | 1 А | >30 MHz | 1 Вт | SI-N |
2N5686 | 80 В | 50 А | >2 MHz | 300 Вт | SI-N |
2N5771 | 15 В | 50 mА | >850 MHz | 625 мВт | SI-P |
2N5878 | 80 В | 10 А | >4 MHz | 150 Вт | SI-N |
2N5884 | 80 В | 25 А | АFPO ВтS Вт | 200 Вт | SI-P |
2N6031 | 140 В | 16 А | 1 MHz | 200 Вт | SI-P |
2N6059 | 100 В | 12 А | 150 Вт | SI-N | |
2N6098 | 70 В | 10 А | АFPO ВтS ВтITCH | 75 Вт | SI-N |
2N6109 | 60 В | 7 А | 10 MHz | 40 Вт | SI-P |
2N6211 | 275 В | 2 А | 20 MHz | 20 Вт | SI-P |
2N6248 | 110 В | 15 А | >6 MHz | 125 Вт | SI-P |
2N6287 | 100 В | 20 А | 160 Вт | P-D АRL | |
2N6356 | 50 В | 20 А | B>150 | 150 Вт | N-D АRL |
2N6427 | 40 В | 0.5 А | 0.625 Вт | N-D АRL | |
2N6488 | 90 В | 15 А | 75 Вт | SI-N | |
2N6517 | 350 В | 0.5 А | >40 | 0.625 Вт | SI-N |
2N6547 | 850/400 В | 15 А | 175 Вт | SI-N | |
2N6609 | 160 В | 16 А | 2 MHz | 150 Вт | SI-P |
2N6661 | 90 В | 2 А | 4E | 6.2 Вт | N-FET |
2N6678 | 400 В | 15 А | SI-N | ||
2N6718 | 100 В | 2 А | 50 MHz | 2 Вт | SI-N |
2N6728 | 60 В | 2 А | >50 MHz | 2 Вт | SI-P |
2N7002 | 60 В | 0.115 А | 7E5 | 0.2 Вт | N-FET |
2N918 | 30 В | 50 mА | 600 MHz | 0.2 Вт | SI-N |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRR АY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -D АRL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом