DTC143EK | 50 В | 0.1 A | 4K7/4K | 0.2 Вт | SI-N |
DTC143ES | 50 В | 0.1 A | 4K7/4K7OHM | SI-N | |
DTC143TS | 50 В | 0.1 A | 4K7OHM | SI-N | |
DTC143XS | 50 В | 0.1 A | 4.7K/1 | 0.3 Вт | SI-N |
DTC144EK | 50 В | 0.1 A | 47/47K | 0.2 Вт | SI-N |
DTC144ES | 50 В | 0.1 A | 47K/47KOHM | SI-N | |
DTC144EU | 50 В | 0.1 A | 47/47K | 0.2 Вт | SI-N |
DTC144TS | 50 В | 0.1 A | 47KOhm | 0.3 Вт | SI-N |
DTC144WS | 50 В | 0.1 A | 47/22K | 0.2 Вт | SI-N |
ESM6045DV | 450 В | 84 A | 250 Вт | N-DARL+D | |
FT5754M | ARRAY | DARL | |||
FT5764M | ARRAY | DARL | |||
GD243 | 65 В | 3 A | 10 Вт | GE-P | |
GT20D101 | 250 В | 20 A | 180 Вт | N-IGBT | |
GT20D201 | 250 В | 20 A | 250 Вт | P-IGBT | |
H6N80 | 800 В | 4.2 A | 1E9 | 170 Вт | N-FET |
HPA100R | 1500 В | 10 A | 0.2 | 150 Вт | SI-N+D |
HPA150R | 1500 В | 15 A | 0.2 | 180 Вт | SI-N+D |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый n-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRRАY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- DARL — составной
- N-FET — полевой сN-каналом
- P-FET — полевой сP-каналом