BD302 | 60 В | 8 А | >3 МГц | 55 Вт | SI-P |
BD303 | 60 В | 8 А | >3 МГц | 55 Вт | SI-N |
BD314 | 80 В | 10 А | 150 Вт | SI-P | |
BD317 | 100 В | 16 А | 1 МГц | 200 Вт | SI-N |
BD318 | 100 В | 16 А | 200 Вт | SI-P | |
BD329 | 32 В | 3 А | 130 МГц | 15 Вт | SI-N |
BD330 | 32 В | 3 А | 15 Вт | SI-P | |
BD335 | 100 В | 6 А | 60 Вт | N-D АRL | |
BD336 | 100 В | 6 А | 60 Вт | P-D АRL | |
BD337 | 120 В | 6 А | >10 МГц | 60 Вт | N-D АRL+D |
BD362 | 32 В | 3 А | 15 Вт | SI-P | |
BD371B | 60 В | 1,5 А | 2,5 Вт | SI-N | |
BD385 | 60 В | 1 А | >250 МГц | 10 Вт | SI-N |
BD387 | 80 В | 1 А | >250 МГц | 10 Вт | SI-N |
BD410 | 500 В | 1 А | 20 Вт | SI-N | |
BD411 | 50 В | 2 А | B>25K | 10 Вт | N-D АRL |
BD441 | 80 В | 4 А | 3 МГц | 36 Вт | SI-N |
BD442 | 80 В | 4 А | 3 МГц | 36 Вт | SI-P |
BD515 | 45 В | 2 А | 160 МГц | 10 Вт | SI-N |
BD537 | 80 В | 8 А | 50 Вт | SI-N | |
BD538 | 80 В | 4 А | >3 МГц | 50 Вт | SI-P |
BD539 | 40 В | 5 А | 45 Вт | SI-N | |
BD543C | 100 В | 8 А | 3 МГц | 70 Вт | SI-N |
BD545 | 40 В | 15 А | 3 МГц | 85 Вт | SI-N |
BD637 | 100 В | 2 А | >3 МГц | 3O Вт | SI-N |
BD638 | 100 В | 2 А | >3 МГц | 30 Вт | SI-P |
BD648 | 80 В | 8 А | 62,5 Вт | P-D АRL | |
BD651 | 120 В | 8 А | 62.5 Вт | N-D АRL | |
BD652 | 120 В | 8 А | 62.5 Вт | P-D АRL | |
BD679A | 80 В | 4 А | 40 Вт | N-D АRL+D | |
BD680A | 80 В | 4 А | 40 Вт | P-D АRL+D | |
BD681 | 100 В | 4 А | B>75 | 40 Вт | N-D АRL+D |
BD682 | 100 В | 4 А | 40 Вт | P-D АRL+D | |
BD683 | 120 В | 4 А | 40 Вт | N-D АRL | |
BD684 | 120 В | 4 А | 40 Вт | P-D АRL | |
BD711 | 100 В | 12 А | 75 Вт | SI-N | |
BD712 | 100 В | 12 А | PO ВтER | 75 Вт | SI-P |
BD722 | 80 В | 4 А | >3 МГц | 36 Вт | SI-P |
- GE-N — германиевый n-p-n
- SI-N — кремниевый n-p-n
- GE-P — германиевый p-n-p
- SI-P — кремниевый p-n-p
- АRR АY — транзисторная матрица
- +D — с диодом
- -D АRL — составной
- N-FET — полевой с n-каналом
- P-FET — полевой с p-каналом