Основные характеристики импортных транзисторов AD161 — ASZ15

24.10.2016
AD161/162 32 В 1A PAIRED 6 Вт GE N/P
AD162 32 В 1A 6 Вт GE-P
AD165 25 В 1A 6 Вт GE-N
AD166 60 В 5A 27.5 Вт GE-P
AF106 25 В 10mA ВHF 220 МГц GE-P
AF109R 20 В 12mA ВHF 260 МГц GE-P
AF118 70 В 30mA 125 МГц 375 мВт GE-P
AF121 25 В 10mA 270 МГц GE-P
AF125 32 В 10mA 75 МГц GE-P
AF127 32 В 10mA 75 МГц GE-P
AF139 20 В 10mA 550 МГц GE-P
AF200 25 В 10mA 0.145 Вт GE-P
AF201 25 В 10mA 0.145 Вт GE-P
AF239S 15 В 10mA 700 МГц GE-P
AF279 15 В 10mA 780 МГц 60 мВт GE-P
AF279S 20 В 10mA 0.6 Вт GE-P
AF280 UHF 550 МГц MIXER GE-P
AF306 25 В 15mA 500 МГц 60m Вт GE-P
AF367 153 В 10mA 800 МГц UHF GE-P
AF379 1250 МГц UHF GE-P
AL102 130 В 6A 30 Вт GE-P
AL112 130 В 6A 10 Вт GE-P
ASY27 25 В 0.2A 0.15 Вт GE-P
ASY77 60 В 1A 500 кГц 0.26 Вт GE-P
ASZ15 100 В 8A 30 Вт GE-P
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом
Метки: , ,

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.