Основные характеристики импортных транзисторов 2SC5150 — 2SC945

 

2SC5150 1700V 10A 03us 50W SI-N
2SC5171 180V 2A 200MHz 20W SI-N
2SC5198 140V 10A 30MHz 100W SI-N
2SC5207 1500V 10A 0.4us 50W SI-N
2SC5242 230V 15A 30MHz 130W SI-N
2SC5244A 1600V 30A 200W SI-N
2SC5296 1500V 8A 60W SI-N+D
2SC5297 1500V 8A 60W SI-N
2SC5299 1500V 10A 0.2US 70W SI-N
2SC535 20V 20mA 0.700M 0.1W SI-N
2SC536 40V 0.1A UNI 180MC SI-N
2SC620 50V 0.2A UNI 0.25W SI-N
2SC643 1100V 2.5A 50W SI-N
2SC644 30V 50mA 0.25W SI-N
2SC645 30mA 0.14W 200MHz SI-N 30V
2SC710 30V 0.03A 200MHz SI-N
2SC711 30V 0.05A 150MHz SI-N
2SC712 30V 0.5A 150MHz SI-N
2SC717 30V 50mA 600MHz 0.2W SI-N
2SC730 40V 0.4A PQ=1.5W SI-N
2SC732 50V 0.15A 150MHz 0.4W SI-N
2SC735 35V 0.4A UNI 0.3W SI-N
2SC752 15V 100mA 0.1W SI-N
2SC756 40V 4A 65MHz 10W SI-N
2SC784 40V 0.02A RF 500MC SI-N
2SC815 60V 0.2A 200MHz 0.25W SI-N
2SC828 30V 0.05A UNI 0.25W SI-N
2SC829 30V 30mA 230MHz 0.4W SI-N
2SC839 50V 0.03A 250MHz SI-N
2SC867 400V 1A 8MHz 23W SI-N
2SC869 160V 30mA 150MHz 0.2W SI-N
2SC898A 150V 7A 15MHz 80W SI-N
2SC900 30V 0.03A 100MHz SI-N
2SC930 15V 0.03A RF 300MC SI-N
2SC936 1000V 1A POWER 22W SI-N
2SC941 35V 20mA 120MHz 0.2W SI-N
2SC945 50V 0.1A UNI 250MC SI-N
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый p-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • ARRAY — транзисторная матрица
  • +D — с диодом
  • -DARL — составной
  • N-FET — полевой с n-каналом
  • P-FET — полевой с p-каналом

Рекомендуемый контент

Радиолюбитель-конструктор © 2023
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.