Полевые транзисторы имеют N-канал и выпускаются в корпусе КТ-28. Внешний вид и цоколевка полевых транзисторов КП723 – КП727 Основные электрические характеристики полевых транзисторов КП723 – КП727 Прибор UЗИ макс., В UСИ макс., В RСИ макс., Ом IС макс., А Iост., мкА Pмакс., Вт S А/В КП723А ±20 60 0.028 50 250 125 >15 КП723Б 60 0.035 […]
транзисторы
Основные характеристики импортных транзисторов TIP3055 — ZTX753M1TA
TIP3055 100 В 15 А NF/S-L 90 Вт SI-N TIP33C 115 В 10 А 80 Вт SI-N TIP34C 100 В 10 А 3 МГц 80 Вт SI-P TIP35C 100 В 25 А 3 МГц 125 Вт SI-N TIP36C 100 В 25 А 3 МГц 125 Вт SI-P TIP41C 100 В 6 А 3 МГц […]
Основные характеристики импортных транзисторов TIP3055 — ZTX753M1TA
TIP3055 100 В 15 А NF/S-L 90 Вт SI-N TIP33C 115 В 10 А 80 Вт SI-N TIP34C 100 В 10 А 3 МГц 80 Вт SI-P TIP35C 100 В 25 А 3 МГц 125 Вт SI-N TIP36C 100 В 25 А 3 МГц 125 Вт SI-P TIP41C 100 В 6 А 3 МГц […]
Основные характеристики импортных транзисторов STA8012 — TIP29E
STA8012 TRANSISTOR ARRAY STA901M TRANSISTOR ARRAY STP3NA60 600 В 2.9 А <4E 80 Вт N-FET STP3NA60F 600 В 2.1 А <4E 40 Вт N-FET STP4NA60 600 В 4.3 А <2E2 100 Вт N-FET STP4NA60F 600 В 2.7 А <2E2 40 Вт N-FET STP4NA80 800 В 4 А <3E 110 Вт N-FET STP4NA80F 800 В […]
Основные характеристики импортных транзисторов P6N60 — STA471A
P6N60 600 В 6 А 1E8 125 Вт N-FET PH2222A 75 В 0.8 А PLASTI 0.5 Вт SI-N PH2369 15 В 0.5 А 12/18ns 0.5 Вт SI-N PN2222A 75 В 0.8 А PLASTI 0.5 Вт SI-N PN2907 40 В 0.6 А PLASTI 0.4 Вт SI-P PN2907A 60 В 0.6 А PLASTI 0.4 Вт SI-P PN3563 […]
Основные характеристики импортных транзисторов MJW, MPF, MPS, MRF,ON
MJW16212 650 В 10 А 150 Вт SI-N MPF102 25 В 2 мА Up<8 В N-FET MPS3640 12 В 80 мА 500 МГц 635m Вт SI-P MPSA06 80 В 0.5 А DRIV 0.625 Вт SI-N MPSA10 40 В 0.1 А 50 МГц 0.21 Вт SI-N MPSA12 20 В 0.5 А 0.625 Вт N-DARL MPSA14 […]
Основные характеристики импортных транзисторов MJE13007 — MJW16206
MJE13007 400 В 8 А 80 Вт SI-N MJE13009 400 В 12 А 100 Вт SI-N MJE15030 150 В 8 А 30 МГц 50 Вт SI-N MJE15031 150 В 8 А 30 МГц 50 Вт SI-P MJE18004 450 В 5 А 13 МГц 100 Вт SI-N MJE18006 450 В 6 А 14 МГц 100 Вт […]
Основные характеристики импортных транзисторов M54661P — MJE13005
M54661P 1.5 А 4xTRANS.ARRAY+DIODE MAT02FH 40 В 20 мА 450 МГц 0.5 Вт 2xSI-N MGF1302 6 В 0.1 А 4 ГГц 0.3 Вт N-FET MJ10001 500 В 20 А B> 175 Вт N-DARL+D MJ10005 500/400 В 20 А 175 Вт N-DARL+D MJ1001 80 В 8 А 90 Вт N-DARL MJ10012 600 В 10 А 175 […]
Основные характеристики импортных транзисторов ITT, J, KS, KT, LM
ITT9013G 30 В 0.5 A 100 МГц SI-N J111 40 В 50 мA 30E 0.4 Вт N-FET J300 25 В 6 мA 0.35 Вт N-FET J309 25 В 30 мA VHF Up<4 В N-FET J310 25 В 60 мA VH Up<6.5 В N-FET KSA708 80 В 0.7 A 50 МГц 0.8 Вт SI-N KSA733 […]
Основные характеристики импортных транзисторов IRFBC40 — IRFZ48
IRFBC40 600 В 6.2 А 1R2 125 Вт N-FET IRFBE30 800 В 4.1 А <3E 125 Вт N-FET IRFD120 100 В 1.3 А <E27 1.3 Вт N-FET IRFD9120 100 В 1 А <E6 1.3 Вт P-FET IRFD9220 200 В 0.6 А 1E5 1 Вт P-FET IRFF120 100 В 6 А 0.3E 20 Вт N-FET IRFP054 […]